編者按：本文來(lái)自微信公眾號(hào)半導(dǎo)體行業(yè)觀察（ID：icbank），作者：邵逸琦，創(chuàng)業(yè)邦經(jīng)授權(quán)轉(zhuǎn)載。

春天的腳步臨近，但存儲(chǔ)廠商們還在過(guò)冬。

上一個(gè)冬天其實(shí)并不算遙遠(yuǎn)，從2021年第三季度開(kāi)始，包括 NAND 和 DRAM 在內(nèi)的存儲(chǔ)市場(chǎng)都遭受了重創(chuàng)，DRAM 價(jià)格下跌了 57%，而 NAND 價(jià)格同期下跌了 55%，供應(yīng)商的生產(chǎn)過(guò)剩和市場(chǎng)的需求衰退引發(fā)了價(jià)格暴跌。

而從2023年下半年開(kāi)始，存儲(chǔ)市場(chǎng)出現(xiàn)了一定程度的回暖，尤其是伴隨著AI的火熱，HBM成為了AI芯片不可或缺的存儲(chǔ)產(chǎn)品，幫助DRAM市場(chǎng)迅速走出冬天。

但溫暖的季節(jié)并未持續(xù)太久，隨著時(shí)間來(lái)到2025年初，存儲(chǔ)市場(chǎng)似乎迎來(lái)了另一個(gè)冬天。

NAND出現(xiàn)暴跌？

NAND廠商的日子這兩年一直不太好過(guò)，同時(shí)生產(chǎn)DRAM的三星、海力士和美光還能靠著HBM喘一口氣，而只做NAND的鎧俠和西部數(shù)據(jù)就有點(diǎn)難受了。

回溯2022年NAND市場(chǎng)的大幅下滑，其中部分原因是疫情。當(dāng)人們開(kāi)始在家工作時(shí)，推動(dòng)了消費(fèi)電子產(chǎn)品的繁榮，隨后大型數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)商的基礎(chǔ)設(shè)施也進(jìn)行了更新，來(lái)支持這一轉(zhuǎn)變，這一時(shí)期可以被稱(chēng)作是超大規(guī)模企業(yè)的快速擴(kuò)張期。

而在快速擴(kuò)張過(guò)后，很快迎來(lái)了緊縮期，超大規(guī)模企業(yè)在 2022 年底至 2023 年期間通過(guò)數(shù)據(jù)縮減等方式提高利用率，從現(xiàn)有資產(chǎn)中獲取了盡可能多的價(jià)值，而在2023 年這部分企業(yè)購(gòu)買(mǎi)的閃存比 2022 年減少了 54%。與此同時(shí)消費(fèi)者對(duì) NAND 的需求也在下降。

值得關(guān)注的是，NAND 行業(yè)在此期間并沒(méi)有肆意增加供應(yīng)量，因此供大于求的主要原因是需求的衰退，最終NAND供應(yīng)商只能通過(guò)減產(chǎn)來(lái)應(yīng)對(duì)，其中鎧俠減產(chǎn)幅度高達(dá) 30%，三星的減產(chǎn)幅度更是高達(dá) 50%。

NAND廠商的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率和毛利率在這一年均為負(fù)數(shù)，創(chuàng)下了凈虧損的新紀(jì)錄，甚至可能是有史以來(lái)最糟糕的一年。

這也讓鎧俠和西部數(shù)據(jù)這樣專(zhuān)注NAND的廠商開(kāi)始尋找出路，例如此前再次談起的兩家合并，以及鎧俠單獨(dú)上市等，甚至在NAND上相對(duì)薄弱的SK海力士也進(jìn)行了相應(yīng)調(diào)整，宣布收購(gòu)而來(lái)的Solidigm退出消費(fèi)業(yè)務(wù)。

對(duì)于NAND廠商來(lái)說(shuō)，經(jīng)歷了2023年的暴跌之后，2024是調(diào)整和恢復(fù)元?dú)獾囊荒?，但壞消息總是接踵而至?/p>

根據(jù)TrendForce的報(bào)告，目前NAND閃存庫(kù)存過(guò)剩正給供應(yīng)商帶來(lái)財(cái)務(wù)壓力。該機(jī)構(gòu)表示，2025年的增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)已從30%下調(diào)至10%-15%。

“為了抑制位供應(yīng)增長(zhǎng)，NAND閃存制造商已采取更果斷的減產(chǎn)措施，縮減全年產(chǎn)量。這些措施旨在迅速緩解市場(chǎng)失衡，并為價(jià)格復(fù)蘇奠定基礎(chǔ)?！盩rendForce指出。

Gartner的總監(jiān)級(jí)分析師兼技術(shù)產(chǎn)品負(fù)責(zé)人Shrish Pant預(yù)計(jì)，2025年上半年NAND閃存價(jià)格仍將低迷，但由于AI服務(wù)器需求持續(xù)增長(zhǎng)，他預(yù)計(jì)SSD的位出貨量將在下半年增加。

“供應(yīng)商目前正全力以赴地控制供應(yīng)，這將推動(dòng)2025年下半年價(jià)格回升。從長(zhǎng)期來(lái)看，AI需求將繼續(xù)推動(dòng)更大容量和更高性能SSD的需求?！盤(pán)ant表示。

Pant在接受采訪時(shí)提到，存儲(chǔ)市場(chǎng)具有季節(jié)性特點(diǎn)：“采購(gòu)模式意味著NAND閃存價(jià)格將保持周期性波動(dòng)，取決于超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的采購(gòu)行為?！?/p>

而根據(jù)存儲(chǔ)分銷(xiāo)商Memphis Electronic在LinkedIn上的一篇帖子，閃存價(jià)格已連續(xù)四個(gè)月下跌，主要受智能手機(jī)和筆記本電腦制造商等關(guān)鍵買(mǎi)家采購(gòu)下降的影響，這些廠商被認(rèn)為是NAND閃存的主要消費(fèi)群體。

值得一提的是，PC市場(chǎng)自疫情以來(lái)一直表現(xiàn)疲軟，該市場(chǎng)在2021年達(dá)到3.5億臺(tái)的出貨高峰后便持續(xù)下滑，盡管有Windows 10停止支持以及AI PC的出現(xiàn)，但都未能重新激發(fā)消費(fèi)者興趣。2024年，PC市場(chǎng)的全球出貨量同比增長(zhǎng)僅為1%，達(dá)到2.622億臺(tái)。

而根據(jù)Canalys的數(shù)據(jù)，2024年智能手機(jī)市場(chǎng)反而表現(xiàn)相對(duì)較好，全球出貨量同比增長(zhǎng)7%，達(dá)到12.2億部。

去年年底，SK海力士在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上警告稱(chēng)：“盡管企業(yè)級(jí)SSD需求穩(wěn)健，但由于PC和移動(dòng)客戶的采購(gòu)需求疲軟，銷(xiāo)售位增長(zhǎng)環(huán)比下降了十幾個(gè)百分點(diǎn)。”關(guān)于近期的生產(chǎn)計(jì)劃，該公司補(bǔ)充道：“對(duì)于NAND，我們將繼續(xù)專(zhuān)注于技術(shù)迭代，而不是提升產(chǎn)能，直到行業(yè)庫(kù)存被充分消化?！?/p>

美光也在去年9月的第四季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示：“我們對(duì)2024年和2025年整個(gè)行業(yè)NAND位需求增長(zhǎng)的展望已下調(diào)至低雙位數(shù)百分比，這低于我們此前的預(yù)期?！逼鋵AND出貨量增長(zhǎng)放緩歸因于消費(fèi)設(shè)備需求疲軟、各終端市場(chǎng)的持續(xù)庫(kù)存調(diào)整，以及“在經(jīng)歷了多個(gè)季度的快速增長(zhǎng)后，客戶對(duì)數(shù)據(jù)中心SSD的短期采購(gòu)放緩?！?/p>

美光表示，2024年和2025年行業(yè)NAND增長(zhǎng)預(yù)期的下滑意味著“供應(yīng)端需要采取相應(yīng)措施來(lái)實(shí)現(xiàn)平衡”。不過(guò)，該公司仍預(yù)計(jì)，由于AI工作負(fù)載的增長(zhǎng)，長(zhǎng)期來(lái)看，NAND作為首選存儲(chǔ)方式的需求將持續(xù)上升。

盡管AI帶動(dòng)了企業(yè)級(jí)SSD的需求增長(zhǎng)，但消費(fèi)市場(chǎng)的疲軟，讓NAND廠商完全樂(lè)觀不起來(lái)，就目前而言，幾家廠商都在專(zhuān)注于提升技術(shù)而非擴(kuò)產(chǎn)。

DRAM不容樂(lè)觀

相較于NAND，DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)相對(duì)好一些，但價(jià)格下跌也是免不了的。

根據(jù)去年年底TrendForce的預(yù)測(cè)，DRAM 市場(chǎng)將在 2025 年第一季度迎來(lái)明顯價(jià)格下跌，其中 PC、服務(wù)器和 GPU VRAM 領(lǐng)域預(yù)計(jì)將出現(xiàn)大幅下滑。

其指出，在 PC DRAM 市場(chǎng)，價(jià)格預(yù)計(jì)將下降 8-13%。這一下降主要是由于消費(fèi)者需求疲軟和 DDR4 內(nèi)存模塊供應(yīng)過(guò)剩。中國(guó)制造商增加了 DDR4 產(chǎn)量，進(jìn)一步飽和了市場(chǎng)并給價(jià)格帶來(lái)了額外壓力。雖然 DDR5 的采用率正在穩(wěn)步增長(zhǎng)，但尚未達(dá)到抵消上一代 DDR4 模塊供應(yīng)過(guò)剩所需的規(guī)模。因此，PC 制造商正在利用較低的價(jià)格來(lái)增加庫(kù)存，盡管他們非常謹(jǐn)慎，以避免在需求不確定的情況下出現(xiàn)庫(kù)存過(guò)剩。

服務(wù)器 DRAM 價(jià)格預(yù)計(jì)也將下降，但降幅小于 PC DRAM，預(yù)測(cè)降幅為 5-10%。從 DDR4 到 DDR5 和高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的持續(xù)過(guò)渡繼續(xù)影響著服務(wù)器 DRAM 市場(chǎng)。主要供應(yīng)商正在將生產(chǎn)能力從 DDR4 重新分配到更新的技術(shù)，以滿足數(shù)據(jù)中心和 AI 應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。然而，DDR4 內(nèi)存的供應(yīng)過(guò)剩，加上企業(yè)客戶的謹(jǐn)慎采購(gòu)策略，導(dǎo)致價(jià)格受到抑制。雖然 DDR5 的采用率正在增長(zhǎng)，但其目前的使用量仍不足以抵消 DDR4 的供應(yīng)過(guò)剩。

在 GPU VRAM 領(lǐng)域，價(jià)格預(yù)計(jì)將下跌 5-10%，主要原因是需求低迷和庫(kù)存水平上升。盡管部分產(chǎn)能已轉(zhuǎn)向 HBM，尤其是用于 AI 和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的高性能 GPU，但對(duì)傳統(tǒng)圖形 DRAM 的需求仍然疲軟。游戲和專(zhuān)業(yè)圖形市場(chǎng)尚未從高庫(kù)存水平和消費(fèi)者需求疲軟的時(shí)期完全恢復(fù)，導(dǎo)致 GPU VRAM 價(jià)格持續(xù)下跌。

DRAM廠商在2023年初時(shí)也經(jīng)歷了價(jià)格大幅下跌，僅第一季度 DRAM 成本就下降了 20%。

到 2024 年，盡管下跌速度有所放緩，但市場(chǎng)仍面臨挑戰(zhàn)。具體表現(xiàn)為庫(kù)存水平高，消費(fèi)電子、游戲和數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域的需求依然疲軟。此外，DDR5 和 HBM 等較新內(nèi)存技術(shù)的緩慢采用導(dǎo)致老一代 DRAM 模塊長(zhǎng)期過(guò)剩，進(jìn)一步導(dǎo)致價(jià)格不穩(wěn)定。

隨著 2025 年的到來(lái)，這些挑戰(zhàn)沒(méi)有立即得到解決的跡象，反而有進(jìn)一步加重的跡象。

這一點(diǎn)也促使DRAM廠商做出更多改變。

早在去年11月，SK海力士就計(jì)劃在 2024 年第四季度之前將其傳統(tǒng) DRAM 產(chǎn)量減少至 20%，該公司將重新分配資源，以滿足對(duì) AI 專(zhuān)用內(nèi)存和先進(jìn) DRAM 產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。報(bào)告指出，SK海力士一直在穩(wěn)步縮減DDR4產(chǎn)量，將產(chǎn)量從2024年第二季度的40%減少到第三季度的30%，并計(jì)劃在第四季度減少到20%。

而據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，由于需求疲軟導(dǎo)致價(jià)格下跌，三星、SK 海力士和美光正在轉(zhuǎn)向 DDR5 和高帶寬內(nèi)存 (HBM)，并可能在 2025 年逐步淘汰 DDR3 和 DDR4，預(yù)計(jì)未來(lái)將專(zhuān)注于先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù)。

消息人士表示，三大 DRAM 制造商可能會(huì)在 2025 年底前停止生產(chǎn) DDR3 和 DDR4。此舉可能會(huì)導(dǎo)致 2025 年夏季后出現(xiàn)供應(yīng)短缺，一位關(guān)鍵零部件分銷(xiāo)商指出，預(yù)計(jì)停產(chǎn)可能會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的供應(yīng)限制，挑戰(zhàn)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)并影響定價(jià)策略。

根據(jù)inSpectrum的數(shù)據(jù)顯示，在市場(chǎng)低迷的情況下，DDR5現(xiàn)貨價(jià)格仍持續(xù)上漲，DDR4價(jià)格則保持穩(wěn)定，而DDR3現(xiàn)貨價(jià)格在過(guò)去幾年一直呈下降趨勢(shì)。

DRAM廠商把更多精力放在了DDR5和HBM上，尤其是HBM，近兩年在DRAM市場(chǎng)中的份額穩(wěn)步增長(zhǎng)，已經(jīng)成為主要的利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)之一。

逃不過(guò)去的冬天

在首爾江南區(qū)COEX舉行的“Semicon Korea 2025”新聞發(fā)布會(huì)上，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner副總裁Gaurav Gupta表示：“從長(zhǎng)期來(lái)看，存儲(chǔ)器行業(yè)無(wú)法避免周期性波動(dòng)?！?/p>

據(jù)Gartner數(shù)據(jù)顯示，存儲(chǔ)市場(chǎng)（包括DRAM和NAND閃存）在2022年和2023年分別下滑了13.8%和35.8%。然而，去年受人工智能（AI）投資增長(zhǎng)的推動(dòng)，該市場(chǎng)反彈了71.8%。

Gupta預(yù)測(cè)，存儲(chǔ)市場(chǎng)將在2024年增長(zhǎng)13.0%，2025年繼續(xù)增長(zhǎng)11.6%，但從2025年后，市場(chǎng)將再次進(jìn)入下行周期。不過(guò)，AI加速器所需的高價(jià)值高帶寬存儲(chǔ)（HBM）預(yù)計(jì)將持續(xù)增長(zhǎng)至2028年。他預(yù)計(jì)，HBM在2023年至2028年間的年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到62%。

他指出，在整體DRAM收入中，HBM的占比預(yù)計(jì)將從2024年的13.6%上升至2028年的30.6%。整體來(lái)看，結(jié)合邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2023年的6260億美元增長(zhǎng)至2028年的8294億美元，并在2030年至2031年間突破1萬(wàn)億美元大關(guān)。

特別是在服務(wù)器、AI加速器、高性能計(jì)算（HPC）和汽車(chē)領(lǐng)域，半導(dǎo)體的應(yīng)用預(yù)計(jì)將大幅增長(zhǎng)。而由于半導(dǎo)體銷(xiāo)售額與云計(jì)算服務(wù)提供商（CSP）的資本支出（CAPEX）密切相關(guān)，預(yù)計(jì)CSP的投資將持續(xù)增長(zhǎng)至2026年。

國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)（SEMI）高級(jí)總監(jiān)Clark Tseng表示：“全球七大CSP的資本支出從2018年的800億美元增長(zhǎng)至2023年的2000億美元，并預(yù)計(jì)在2024年超過(guò)2500億美元。”

他還預(yù)測(cè)，服務(wù)器在整體半導(dǎo)體市場(chǎng)中的占比將從2024年的24%增加到2030年的34%。此外，他表示，預(yù)計(jì)韓國(guó)半導(dǎo)體制造商將在2026年后減少對(duì)DRAM的投資，并大幅增加對(duì)NAND閃存的投資。

從數(shù)據(jù)中不難看出，DRAM市場(chǎng)的主要增長(zhǎng)動(dòng)力就來(lái)自于HBM和服務(wù)器產(chǎn)品，NAND也大抵如此，巨頭們大量興建數(shù)據(jù)中心，讓存儲(chǔ)市場(chǎng)比預(yù)計(jì)中更早實(shí)現(xiàn)了回暖，但冬天也比預(yù)計(jì)來(lái)的更早一些。

這也就是說(shuō)，如果消費(fèi)電子領(lǐng)域遲遲未出現(xiàn)明顯增長(zhǎng)點(diǎn)的話，DRAM和NAND市場(chǎng)就很難保持穩(wěn)定增長(zhǎng)而不出現(xiàn)下滑，僅靠服務(wù)器這一個(gè)領(lǐng)域的繁榮，難以支撐起整個(gè)市場(chǎng)。

更何況，服務(wù)器端的需求也并非一直高歌猛進(jìn)，此前Futurum Group半導(dǎo)體副總裁兼業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Richard Gordon針對(duì)數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的存儲(chǔ)需求指出：“除了SSD的庫(kù)存調(diào)整外，由于AI半導(dǎo)體出口管制及其他地緣政治問(wèn)題帶來(lái)的不確定性，數(shù)據(jù)中心HBM的短期需求也將放緩?！?/p>

而廠商們?cè)谶@種情況下的唯一出路就是往更高端走，通過(guò)贏取更高的利潤(rùn)來(lái)消弭市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)的影響。

Gordon表示：“市場(chǎng)環(huán)境將有所改善，存儲(chǔ)廠商將加速向先進(jìn)制程和高端技術(shù)（如HBM3、HBM4、DDR5、LPDDR和堆疊芯片等）轉(zhuǎn)移，這將消耗大量產(chǎn)能，并減少傳統(tǒng)/常規(guī)產(chǎn)品的產(chǎn)出。目標(biāo)是優(yōu)化產(chǎn)出結(jié)構(gòu)，并更好地控制平均售價(jià)（ASP）?！?/p>

“不過(guò)，存儲(chǔ)市場(chǎng)的格局正在發(fā)生變化?！盙ordon補(bǔ)充道，“它正從一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)激烈、高度周期性、波動(dòng)劇烈的商品化市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向一個(gè)更加專(zhuān)業(yè)化、高端化的市場(chǎng)。供應(yīng)商數(shù)量減少，技術(shù)壁壘提高，使得企業(yè)能夠更好地掌控供應(yīng)和定價(jià)。此外，從中期來(lái)看，AI數(shù)據(jù)中心的需求似乎仍然無(wú)比旺盛?！?/p>

寫(xiě)在最后

2025年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)由AI驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)性變革，DRAM與NAND領(lǐng)域加速向高附加值技術(shù)全面傾斜。隨著傳統(tǒng)市場(chǎng)需求疲軟及價(jià)格持續(xù)承壓，三星、SK海力士、美光等頭部廠商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、DDR5、LPDDR5等高端產(chǎn)品，試圖通過(guò)技術(shù)升級(jí)重構(gòu)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)壁壘。

HBM3E憑借AI算力需求的爆發(fā)成為市場(chǎng)核心增長(zhǎng)點(diǎn)，其產(chǎn)出預(yù)計(jì)在2025年翻倍，但高昂的晶圓消耗與低良率也導(dǎo)致傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能被大幅擠占。與此同時(shí)，DDR5在服務(wù)器與PC市場(chǎng)的滲透率突破50%，進(jìn)一步壓縮了DDR4等成熟制程的生存空間，迫使廠商通過(guò)減產(chǎn)、停產(chǎn)低端產(chǎn)品優(yōu)化產(chǎn)能結(jié)構(gòu)。

不論是DRAM廠商還是NAND廠商，都不免在新的冬天里掙扎沉浮，但它們或多或少，都已經(jīng)明確了自己的目標(biāo)，那就是放棄價(jià)格戰(zhàn)與頻繁調(diào)整庫(kù)存，轉(zhuǎn)而構(gòu)筑更強(qiáng)大的技術(shù)壁壘。

展望未來(lái)，存儲(chǔ)行業(yè)的“專(zhuān)業(yè)化”趨勢(shì)將愈發(fā)清晰，傳統(tǒng)存儲(chǔ)依舊存在，但市場(chǎng)中的主角只會(huì)是那些把握住市場(chǎng)風(fēng)向，真正在技術(shù)上領(lǐng)先的廠商。

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