創(chuàng)業(yè)邦6月30日獲悉，氧化鎵材料及產(chǎn)品研發(fā)商銘鎵半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱“銘鎵”）宣布完成近億元A輪融資，由之路資本領(lǐng)投，允泰資本、分享投資、駱駝資本跟投，穆棉資本繼續(xù)擔(dān)任本輪獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問(wèn)。
據(jù)了解，本輪融資將主要用于氧化鎵項(xiàng)目的擴(kuò)產(chǎn)和研發(fā)。
銘鎵成立于2020年11月，是一家氧化鎵材料及產(chǎn)品研發(fā)商，主要提供半導(dǎo)體材料及相關(guān)器件及技術(shù)研發(fā)服務(wù)，包括工業(yè)級(jí)氧化鎵襯底材料、磷化銦多晶和單晶材料以及大尺寸光學(xué)晶體材料。
目前，銘鎵已經(jīng)搭建起完整的產(chǎn)線，包括晶體生長(zhǎng)、晶體加工、外延薄膜、性能測(cè)試、微納加工、聯(lián)合研發(fā)等六大平臺(tái)。
在成立一年后，銘鎵先后完成了英諾天使基金、首科三新投資、中關(guān)村創(chuàng)業(yè)大街千萬(wàn)元的天使輪投資，洪泰基金、分享投資、圖靈科技創(chuàng)投的pre-A輪融資。
銘鎵創(chuàng)始人兼CEO陳政委，2011年畢業(yè)于天津工業(yè)大學(xué)，后去往日本國(guó)立佐賀大學(xué)攻讀碩士、博士學(xué)位，研究新型半導(dǎo)體材料，2017年獲得工學(xué)博士學(xué)位。期間，他專攻氧化鎵材料與器件的研發(fā)工作，發(fā)表了30余篇氧化鎵材料方向的論文。
目前，銘鎵的商業(yè)邏輯是以半導(dǎo)體材料橫向發(fā)展，關(guān)鍵核心材料氧化鎵（Ga2O3）縱向拓展，具體而言，是以相對(duì)成熟的磷化銦等基礎(chǔ)材料業(yè)務(wù)作為公司營(yíng)收的重要保障，支撐類似氧化鎵等前沿新材料的市場(chǎng)化發(fā)展，從而抓住未來(lái)氧化鎵的市場(chǎng)。
銘鎵半導(dǎo)體 氧化鎵襯底
氧化鎵作為新一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，是繼第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）之后最具市場(chǎng)潛力的材料。國(guó)內(nèi)超三分之二的半導(dǎo)體產(chǎn)品完全依賴進(jìn)口，高端半導(dǎo)體材料更是遭遇“卡脖子”。氧化鎵的出現(xiàn)，是國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的一次機(jī)遇，有望擊碎“卡脖子”的現(xiàn)況。
氧化鎵目前還處于研發(fā)階段，目前，除了日本氧化鎵晶體研發(fā)領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè)Novell Crystal Technology，中國(guó)和其他國(guó)家的氧化鎵企業(yè)都在起跑線的位置攻堅(jiān)克難。
與碳化硅、氮化鎵相比，氧化鎵基功率器件具備高耐壓、低損耗、高效率、小尺寸等特點(diǎn)，例如:同等耐壓情況下，對(duì)比起碳化硅基器件的損耗，氧化鎵基要降低86%，尺寸僅為碳化硅基的1/5左右。
另一方面，氧化鎵材料目前采用的是熔體法生長(zhǎng)工藝，高效可控的晶體制備過(guò)程決定其成本優(yōu)勢(shì)，綜合而言，良好的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)將成為氧化鎵在未來(lái)高功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)力。
銘鎵是為數(shù)不多的可以實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)工業(yè)級(jí)氧化鎵半導(dǎo)體晶片小批量供貨的中國(guó)廠家，且已開(kāi)始布局氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)全鏈路。企業(yè)擁有一支強(qiáng)勁的博士人員研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心成員中大多具備10年以上半導(dǎo)體領(lǐng)域從業(yè)經(jīng)驗(yàn)；現(xiàn)有專利30余項(xiàng)（含申請(qǐng)中）。
目前，市場(chǎng)對(duì)于氧化鎵的渴望愈發(fā)強(qiáng)烈，NCT預(yù)測(cè)氧化鎵晶圓的市場(chǎng)到2030年度將擴(kuò)大到約590億日元（約合4.7億美元）規(guī)模，而從市場(chǎng)調(diào)查公司富士經(jīng)濟(jì)對(duì)寬禁帶功率半導(dǎo)體元件的全球市場(chǎng)預(yù)測(cè)來(lái)看，2030年氧化鎵功率元件的市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)達(dá)到1542億日元（約合12.2億美元），比氮化鎵功率元件的市場(chǎng)規(guī)模（約合8.6億美元）更大。
在氧化鎵的商業(yè)化方向，目前為止，日盲紫外光電探測(cè)器件和功率器件（SBD、MOSFET）是兩個(gè)較為明朗的方向。使用氧化鎵制作的半導(dǎo)體器件可以實(shí)現(xiàn)更耐高壓、更小體積、更低損耗，因此它在光電探測(cè)、功率器件、氣敏傳感、光催化、信息存儲(chǔ)和太陽(yáng)能利用等都有潛在應(yīng)用價(jià)值。
銘鎵目前已經(jīng)同數(shù)十家產(chǎn)業(yè)和科研客戶達(dá)成合作，通過(guò)銷售氧化鎵材料收集數(shù)據(jù)反饋，在未來(lái)落地領(lǐng)域不設(shè)限制，有氧化鎵材料的場(chǎng)景都會(huì)是銘鎵的潛在客戶。
銘鎵創(chuàng)始人陳政委表示，通過(guò)本次融資的合作，是繼PreA輪之后再一次讓銘鎵感受到穆棉團(tuán)隊(duì)非常強(qiáng)的行業(yè)理解力和專業(yè)的工作態(tài)度。在融資過(guò)程中，穆棉的同事與資本市場(chǎng)完成非常專業(yè)，嚴(yán)謹(jǐn)，細(xì)致的溝通。期待未來(lái)能繼續(xù)和穆棉團(tuán)隊(duì)一起前行，共同推進(jìn)中國(guó)超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的發(fā)展。
