創(chuàng)業(yè)邦獲悉，近日，中國第四代半導(dǎo)體“氧化鎵”材料產(chǎn)業(yè)化的先行者北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導(dǎo)體”）完成由洪泰基金領(lǐng)投的數(shù)千萬元Pre-A輪融資。
銘鎵半導(dǎo)體成立于2020年，是國內(nèi)專業(yè)從事氧化鎵材料及其功率器件產(chǎn)業(yè)化的高新企業(yè)。主要專注于新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的高質(zhì)量單晶與外延襯底、高靈敏度日盲紫外探測器件和高頻大功率器件等產(chǎn)業(yè)化高新技術(shù)的研發(fā)，目前已實現(xiàn)2寸氧化鎵襯底材料量產(chǎn)。
銘鎵半導(dǎo)體是目前唯一可實現(xiàn)國產(chǎn)工業(yè)級氧化鎵半導(dǎo)體晶片小批量供貨的中國廠家，公司擁有一支強勁的博士人員研發(fā)團隊，核心成員中有多位具備10年以上半導(dǎo)體領(lǐng)域從業(yè)經(jīng)驗的產(chǎn)業(yè)技術(shù)人才?，F(xiàn)有專利17項（含申請中），實用新型3項，發(fā)明專利14項。
洪泰基金投資人王遠(yuǎn)博表示：日本在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域一向具有風(fēng)向標(biāo)作用。此前，日本在研發(fā)領(lǐng)域缺少資金支持的情況下，依然在第四代半導(dǎo)體材料“氧化鎵”領(lǐng)域投入了重金；同時，2019年7月，三菱與電裝聯(lián)合宣布將成立一個新的合資企業(yè)，將目光投向了能夠挑戰(zhàn)SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體“氧化鎵”。
技術(shù)上，第四代半導(dǎo)體材料“氧化鎵”在光電和功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具有優(yōu)異的指標(biāo)，天然的屬性和其生長工藝使其性價比要比第三代半導(dǎo)體更具優(yōu)勢。因此，我們看好“氧化鎵”材料未來的發(fā)展前景。
作為國內(nèi)“氧化鎵”領(lǐng)域的先行者，銘鎵半導(dǎo)體具備先發(fā)優(yōu)勢，目前已實現(xiàn)量產(chǎn)2寸，突破4寸技術(shù)，是目前唯一可實現(xiàn)國產(chǎn)工業(yè)級“氧化鎵”半導(dǎo)體晶片小批量供貨中國廠家。未來，洪泰基金看好銘鎵半導(dǎo)體在國內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域扮演重要角色。
2017年9月份，科技部高新司重點研發(fā)計劃把“氧化鎵”列入其中；2018年3月，北京市科委率先開展了前沿新材料的研究，把“氧化鎵”列為重點項目。包括我們國內(nèi)從單晶薄膜到器件，各種高校、院所深入?yún)⑴c其中，中國的氧化鎵自2017年開始逐步成為熱點。
而在國際上，2021年7月，據(jù)材料世界網(wǎng)報道，日本AGC與JX金屬投資的Novel Crystal表示，該公司4英寸的“氧化鎵”功率半導(dǎo)體晶圓成功量產(chǎn)并開始銷售，預(yù)計3年內(nèi)將實現(xiàn)年產(chǎn)量近2萬片左右。
那么，備受關(guān)注的第四代半導(dǎo)體材料“氧化鎵”究竟具有哪些優(yōu)勢，其是否有望成為滿足半導(dǎo)體功率器件發(fā)展需求的新一代半導(dǎo)體材料呢？
一，極高的性能優(yōu)勢。功率上“氧化鎵”極具競爭力，各項性能都優(yōu)于前幾代材料。同等耐壓的情況下，“氧化鎵”基器件損耗對比于碳化硅基損耗要降低86%；以功率半導(dǎo)體器件實現(xiàn)同樣性能為前提，在器件尺寸上碳化硅基僅為硅基的1/30左右，而“氧化鎵”基又僅為碳化硅基的1/5左右；
二，低廉的成本優(yōu)勢。在尚未批量爆發(fā)的情況下，價值成本已經(jīng)做到和同類型產(chǎn)品相比降低七分之一；
三，高質(zhì)量合成易得。相對于PVT方法的微米量級長晶速度，液相法生長的氧化鎵長晶速度每小時可高達數(shù)十毫米，成長速度快約百倍，并且可以成長出高品質(zhì)單晶晶體；
四，極短的產(chǎn)業(yè)化優(yōu)勢。從實現(xiàn)這個產(chǎn)業(yè)的材料零突破到實現(xiàn)六英寸用了短短八年時間，產(chǎn)業(yè)化周期極短，八年里這個材料的尺寸以及整個器件的模型在飛速發(fā)展。
行業(yè)分析人士表示，預(yù)計到2030年，全球氧化鎵及功率器件市場規(guī)模將達到98.6億元左右，行業(yè)發(fā)展空間廣闊。與日本相比，我國在氧化鎵技術(shù)研究領(lǐng)域?qū)嵙^弱，但我國半導(dǎo)體市場龐大，對相關(guān)材料需求旺盛，為從制造大國向制造強國轉(zhuǎn)變，先進材料必不可少，氧化鎵必須實現(xiàn)國產(chǎn)化生產(chǎn)。長期來看，我國氧化鎵行業(yè)前途光明。
目前，銘鎵半導(dǎo)體已開始布局“氧化鎵”材料產(chǎn)業(yè)全鏈路，擁有國內(nèi)僅有、完備的涵蓋晶體制備——晶體加工——外延制備——性能檢測——器件設(shè)計的標(biāo)準(zhǔn)線。相信在未來中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程中，銘鎵半導(dǎo)體能夠在中國科技創(chuàng)新精神的引導(dǎo)下做出亮眼的成績，扮演重要的角色。
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