編者按：本文來自微信公眾號 半導(dǎo)體行業(yè)觀察（ID：icbank），創(chuàng)業(yè)邦經(jīng)授權(quán)發(fā)布。

據(jù)韓國數(shù)據(jù)平臺KED Aicel報道，SK海力士1月份來自其位于利川和清州的芯片工廠的MCP出口額達(dá)到12.9億美元。其最新出口額同比增長105.7%，但環(huán)比下跌29.8%。經(jīng)過工作日調(diào)整后，1月份的數(shù)據(jù)比12月下跌了19.3%。這是自2023年4月該公司開發(fā)出全球12層HBM3芯片以來，環(huán)比跌幅最大的一次。

MCP通常指HBM和移動設(shè)備——兩者都屬于大容量芯片。

分析師表示，月度銷售額下降表明先進(jìn)的HBM芯片曾經(jīng)需求旺盛，但現(xiàn)在更容易受到進(jìn)口需求波動的影響。

出口大減，人們對 HBM 的興趣冷卻

KED Aicel 的數(shù)據(jù)顯示，1 月份韓國對臺灣的 MCP 出口為 9.94 億美元，為 2024 年 5 月以來的最低值。臺灣是全球最大的晶圓代工或合同芯片制造商臺灣半導(dǎo)體制造股份有限公司 (TSMC) 的所在地。1 月份出口額較 12 月份的 20.3 億美元下降 51.1%。HBM芯片用于專注于 AI 的圖形處理單元，通常送往臺灣的臺積電進(jìn)行封裝，然后再運往 Nvidia Corp. 等終端客戶。

一位芯片行業(yè)人士表示：“1月份MCP出口的大幅下降表明，AI芯片現(xiàn)在受到季節(jié)性的影響。”

分析師預(yù)計，未來幾個季度 HBM 市場對季節(jié)性趨勢的敏感度將進(jìn)一步提高。iMSecurities 分析師 Song Myung-seop 在一份研究報告中表示：“即使在 HBM 市場，季節(jié)性也已顯現(xiàn)?！?/p>

他表示，SK 海力士第一季度的 HBM 出貨量很可能比 2024 年第四季度下降 10% 以上。

他預(yù)計，SK 的 DRAM 和 NAND 芯片出貨量將在同一時期分別下降 12% 和 18%。

ShinyoungSecurities 分析師 Park Sang-wook 表示：“今年全球 HBM 需求將比去年翻一番。但在第一季度，HBM 銷量將較上一季度下降，原因是美國對華貿(mào)易限制收緊?！?KED Aicel 數(shù)據(jù)顯示，三星電子公司位于平澤、龍仁、水原、天安和牙山的芯片工廠1 月份的 MCP 出口總量較上月下降了 62.3%。

與此同時，人們對 HBM 的興趣似乎也在減弱。

根據(jù)谷歌趨勢，包含 HBM 關(guān)鍵詞的搜索量在 2023 年 11 月達(dá)到頂峰，此后下降了 10% 以上。2023年 11 月谷歌上的 HBM 搜索量幾乎是 2023 年 4 月的兩倍。

與 HBM 一起搜索最多的關(guān)鍵詞之一是 SK Hynix。來自谷歌、Naver 和 YouTube 等平臺的搜索數(shù)據(jù)通常被認(rèn)為是尋找投資機會的人的領(lǐng)先指標(biāo)。

“谷歌趨勢數(shù)據(jù)是了解消費者興趣和市場趨勢變化的寶貴工具。HBM 相關(guān)搜索的強勁上升趨勢最近有所放緩，”Hankyung Aicel 數(shù)據(jù)分析師 Park I-kyung 說。

DeepSeek帶來了負(fù)面影響？

據(jù)韓國分析人士表示，隨著中國人工智能初創(chuàng)公司 DeepSeek 的崛起，對英偉達(dá)和其他美國人工智能科技公司造成打擊，三星電子和 SK 海力士預(yù)計將在快速增長的人工智能 (AI) 內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)中面臨越來越多的不確定性。

DeepSeek 最近推出了其最新的推理模型 R1，其性能可與 OpenAI 的 o1 相媲美。這家初創(chuàng)公司表示，盡管使用了為中國市場設(shè)計的低端 Nvidia 圖形處理單元 (GPU)，但訓(xùn)練該模型的成本僅略高于 550 萬美元。

雖然許多細(xì)節(jié)仍有待核實，但這引發(fā)了人們對在人工智能基礎(chǔ)設(shè)施上投資數(shù)十億美元的大型科技公司的競爭力的質(zhì)疑。

iM Securities 分析師 Song Myung-sup 表示：“大規(guī)模投資對 AI 發(fā)展至關(guān)重要的模式已經(jīng)發(fā)生改變。大型科技公司現(xiàn)在可能會專注于更有效的戰(zhàn)略，而不是盲目競爭以獲得最新的 GPU?！?/p>

他說：“這種轉(zhuǎn)變可能會對韓國存儲器半導(dǎo)體公司產(chǎn)生負(fù)面影響，這些公司一直在向 Nvidia 供應(yīng)高容量高帶寬存儲器（HBM），以滿足人工智能的需求?！?/p>

受此影響，投資者紛紛拋售占據(jù)人工智能半導(dǎo)體市場 70% 份額的英偉達(dá)股票。僅 1 月 27 日（當(dāng)?shù)貢r間），該公司市值就縮水約 5890 億美元，且尚未出現(xiàn)復(fù)蘇跡象。與其人工智能價值鏈相關(guān)的其他美國股票也面臨困境。

如果對 Nvidia 高性能 GPU 的需求如市場預(yù)期的那樣減弱，那么幾乎獨家向 Nvidia 供應(yīng) HBM3e 的 SK 海力士的收入可能會大幅下降。

HBM3e 是同類產(chǎn)品中最先進(jìn)的版本，在提升 GPU 性能方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，SK 海力士的 DRAM 總銷售額中有 40% 來自 HBM 業(yè)務(wù)。三星電子也在進(jìn)行質(zhì)量測試，為向 Nvidia 供應(yīng)這些芯片做準(zhǔn)備，并將其視為下一個收入來源。

受此影響，三星電子和 SK 海力士周五的股價并未緩解市場擔(dān)憂。三星股價下跌 2.4% 至 52,400 韓元（36.07 美元），而 SK 海力士股價則大幅下跌 9.8% 至 199,200 韓元。此次下跌發(fā)生在 DeepSeek 發(fā)布后的首個交易日。

此前，由于預(yù)期受益于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，電力相關(guān)股票大幅上漲，但隨后也大幅下跌。

三星設(shè)備解決方案 (DS) 部門執(zhí)行副總裁 Kim Jae-joon 在周五的第四季度財報電話會議上告訴投資者：“由于我們向多家供應(yīng)商提供 GPU 的 HBM，我們正在密切關(guān)注行業(yè)趨勢并考慮各種情況?！?/p>

他說：“由于市場中長期機遇和短期風(fēng)險并存，我們將確保對市場的快速變化做出迅速、及時的反應(yīng)?！?/p>

除了市場動態(tài)之外，地緣政治緊張局勢也給韓國芯片制造商增添了另一層不確定性。

據(jù)報道，為鞏固人工智能領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，美國政府正在考慮采取措施，阻止英偉達(dá)的低端 H20 芯片出口到中國，該芯片配備了三星電子的 HBM。作為回應(yīng)，中國可能會加大對國內(nèi)半導(dǎo)體公司的支持，加快自給自足的步伐，這可能會重塑對韓國芯片的需求。

Kim Jae-joon表示：“如果美國政府以此事件為由，全面禁止 Nvidia 在中國銷售專用的 GPU，那么為這些 GPU 供應(yīng) HBM 的韓國 DRAM 制造商也將遭受負(fù)面影響?！?/p>

三星和SKhynix，加碼HBM

作為HBM的追趕者，據(jù)了解，三星電子自去年下半年以來一直在重新設(shè)計其尖端 DRAM，以增加芯片尺寸。這是一種不注重生產(chǎn)率和性能，而注重‘良品率（良品與投入品之比）’的戰(zhàn)略，被解讀為將能力集中于HBM（高帶寬存儲器）等高附加值存儲器的穩(wěn)定量產(chǎn)的戰(zhàn)略。

據(jù)業(yè)界消息人士10日透露，三星電子從去年下半年開始，通過比現(xiàn)有產(chǎn)品更大芯片尺寸的方式，開發(fā)1c(第6代10納米級)DRAM。1c DRAM是三星電子計劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。電路線寬約為11至12納米（nm）。上一代1b(第五代)DRAM預(yù)計在12-13納米左右。

三星電子計劃優(yōu)先將1c DRAM應(yīng)用于下一代HBM4（第6代HBM）。目的是快速提高 HBM 與 DRAM 的競爭力，使其比主要競爭對手領(lǐng)先一代。SK Hynix、Micron等已決定為HBM4采用1b DRAM。

不過，三星電子的1c DRAM自開發(fā)初期以來就一直面臨著提高成品率的困難。據(jù)悉，該品種去年下半年已獲得第一批優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，但產(chǎn)量并未達(dá)到令人滿意的水平 。

主要背景是生產(chǎn)力。最初，三星電子考慮到競爭對手，決定相對于原計劃縮小1c DRAM的芯片尺寸。隨著芯片尺寸越來越小，每片晶圓的生產(chǎn)量隨之增加，有利于提高制造成本效率。但有人指出這會降低穩(wěn)定性。

因此，三星電子去年年底決定對1c DRAM的設(shè)計進(jìn)行部分修改。主要目標(biāo)是將核心電路的線寬控制到最小，同時放寬外圍電路的線寬標(biāo)準(zhǔn)，以快速提高良率。

多位知情人士表示，“三星電子改變了1c DRAM的設(shè)計，以增大芯片尺寸，并致力于提高產(chǎn)量，目標(biāo)是在今年年中完成?！贝送?，“看來他們正致力于穩(wěn)定量產(chǎn)下一代內(nèi)存，即使成本更高。”

現(xiàn)在討論改變設(shè)計后的 1c DRAM 的顯著產(chǎn)量還為時過早。三星電子內(nèi)部和外部預(yù)計會在5月或6月左右公布具體結(jié)果。

同時，出于類似的原因，一些1b DRAM產(chǎn)品也正在進(jìn)行重新設(shè)計，以提高良率。據(jù)悉，目前正致力于將服務(wù)器用32Gb（千兆位）1b DRAM產(chǎn)品的良率提升至量產(chǎn)水平的70-80%。

三星在早前的財報發(fā)布會上還預(yù)計，從第二季度開始， 公司改良版HBM3E的供應(yīng)量將迎來全面增長，這一趨勢與美國政府實施的尖端半導(dǎo)體出口管制政策緊密相關(guān)。該政策促使客戶需求逐步向改良版HBM3E轉(zhuǎn)移，盡管這在一定程度上可能暫時抑制了HBM的整體需求。

然而，值得注意的是，從第二季度起，對12層HBM3E的需求預(yù)計將迅猛增加，增速甚至可能超過先前的預(yù)期。鑒于此，三星電子已制定計劃，旨在將今年全年的HBM bit供應(yīng)量擴大至去年的兩倍，以確保充分滿足市場需求。

三星電子在HBM領(lǐng)域的這些積極動作和規(guī)劃，無疑將進(jìn)一步推動公司在半導(dǎo)體芯片市場的競爭力和發(fā)展勢頭。

不過，挑戰(zhàn)依然存在。三星電子高管指出，盡管2024年第四季度HBM銷售額實現(xiàn)了190%的環(huán)比增長，但仍未達(dá)到預(yù)期水平。盡管如此，三星電子仍對HBM市場的未來發(fā)展持樂觀態(tài)度，并預(yù)計需求將在2025年第二季度恢復(fù)增長。為此，公司已設(shè)定目標(biāo)，即今年HBM的供應(yīng)量要實現(xiàn)比去年翻一番的壯舉。

行業(yè)領(lǐng)先者SKhynix在HBM的布局更是快速。SK 集團董事長早前表示，SK 海力士高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的開發(fā)速度比客戶 Nvidia 的需求更快。

此前，更是有新聞傳出，韓國內(nèi)存芯片巨頭 SK 海力士已贏得向博通供應(yīng)高帶寬內(nèi)存（HBM）的大訂單。息人士稱，這家美國芯片巨頭將從 SK 海力士采購內(nèi)存芯片，以安裝在一家大型科技公司的人工智能計算芯片上。SK海力士預(yù)計將于明年下半年供應(yīng)該芯片。消息人士還稱，博通正積極與這家全球最大 HBM 供應(yīng)商、韓國內(nèi)存芯片巨頭接洽，以采購經(jīng)過驗證的 HBM。

SK Hynix 現(xiàn)在肯定會調(diào)整其 DRAM 生產(chǎn)能力預(yù)測，因為它現(xiàn)在為 Nvidia 和 Broadcom 供應(yīng) HBM。目前，它為 Nvidia 的 AI 加速器供應(yīng)了大部分 HBM。

報道表示，這家韓國公司計劃明年將其 1b DRAM（用作其 HBM 的核心芯片）的生產(chǎn)能力擴大到 140,000 至 150,000 片 300 毫米晶圓。但隨著與博通的新交易，預(yù)計這一數(shù)字將增加到 160,000 至 170,000 片 300 毫米晶圓。SK Hynix 還可以推遲其 1c DRAM（1b DRAM 的后續(xù)產(chǎn)品）設(shè)備的安裝時間表，以首先滿足這一新的迫切需求。

據(jù)報道，SK海力士還計劃投資超過10萬億韓元，包括將現(xiàn)有的過時的內(nèi)存生產(chǎn)線改造成HBM生產(chǎn)線。

但隨著deepseek的橫空出世，據(jù)傳這引發(fā)兩大巨頭重估HBM。

HBM，短期震蕩？

按照三星所說，進(jìn)入2025年第一季度，HBM收入預(yù)計將出現(xiàn)下滑，且需求的不確定性有所增加。他們指出，未來HBM的需求走勢將主要取決于GPU產(chǎn)品的供應(yīng)狀況以及美國出口管制政策的具體影響。

業(yè)內(nèi)專家仍認(rèn)為韓國芯片制造商仍將持續(xù)增長。許多人認(rèn)為 Nvidia 的市場主導(dǎo)地位將持續(xù)下去。畢竟，即使是 DeepSeek 的 R1 也是使用 Nvidia GPU 開發(fā)的。換而言之，HBM也將繼續(xù)火熱下去。

業(yè)內(nèi)人士表示：“傳統(tǒng)上，人工智能開發(fā)需要大量投資，進(jìn)入門檻也很高，但隨著更多參與者進(jìn)入市場，人工智能生態(tài)系統(tǒng)將會增長。由于 Nvidia 的 H800 芯片仍然需要 HBM，因此對高端內(nèi)存的需求可能會保持強勁?！?/p>

讀者們，又是怎么看呢？

參考鏈接

https://www.kedglobal.com/korean-chipmakers/newsView/ked202502100006

https://zdnet.co.kr/view/?no=20250210164808

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