存儲巨頭，憂心忡忡

半導(dǎo)體行業(yè)觀察·2024-12-16

美國主要存儲器公司美光即將公布其財報。隨著內(nèi)存市場供應(yīng)過剩的擔(dān)憂最近加劇，尤其是傳統(tǒng)產(chǎn)品，業(yè)界正在密切關(guān)注美光科技的前景。

編者按：本文來自微信公眾號半導(dǎo)體行業(yè)觀察（ID：icbank），創(chuàng)業(yè)邦經(jīng)授權(quán)發(fā)布。

美國美光計劃于19日公布2025財年第一季度（2024年9月至2024年11月）財報。此前，美光科技 6 月至 8 月的銷售額為 77.5 億美元，錄得“盈利驚喜”。這比上一季度增長了 14%，比去年同期增長了 93%。

美光預(yù)計，受HBM（高帶寬內(nèi)存）等高附加值產(chǎn)品的影響，本季度銷售額將持續(xù)增長。該公司本季度銷售額預(yù)測中位數(shù)為87億美元，比去年同期高出84%。

美光在公布上一季度業(yè)績時表示，“基于本財年，HBM市場將從2023年的40億美元增長到2025年的250億美元”，美光補(bǔ)充道，“存儲器的供需平衡由于 HBM 比例的增加以及向下一代 NAND 工藝的過渡，明年的行業(yè)將會健康發(fā)展?！?/p>

然而，半導(dǎo)體行業(yè)最近提出了內(nèi)存市場不確定性進(jìn)一步增加的擔(dān)憂。這是因為除人工智能（AI）之外的通用存儲器需求持續(xù)低迷，中國后來者正在積極擴(kuò)大產(chǎn)量，存儲的未來正在引發(fā)擔(dān)憂

存儲形勢，急轉(zhuǎn)下滑？

事實上，根據(jù)市場研究公司Trend Force的數(shù)據(jù)，9月底通用DRAM產(chǎn)品固定交易價格環(huán)比下跌17.07%，上月底也下跌20.59%。從9月份開始，NAND價格也連續(xù)三個月下跌兩位數(shù)。

DRAMeXchange 在12更是進(jìn)一步指出，截至 11 月底，通用 PC DRAM 產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價格為 1.35 美元。與 7 月份 2.1 美元的價格相比，這標(biāo)志著 35.7% 的大幅下跌。今年下半年DRAM價格大幅下跌，可歸因于供需雙方的不利因素，引發(fā)人們對更廣泛經(jīng)濟(jì)影響的擔(dān)憂。

對智能手機(jī)和個人電腦等信息技術(shù) (IT) 設(shè)備的需求尚未復(fù)蘇，中國等主要國家的國內(nèi)情緒依然低迷。這導(dǎo)致主要IT設(shè)備公司下調(diào)了DRAM庫存。供給方面，中國企業(yè)正在發(fā)起供給攻勢。雖然他們在高帶寬內(nèi)存 (HBM) 等先進(jìn)產(chǎn)品方面尚未趕上韓國，但他們在雙倍數(shù)據(jù)速率 4 (DDR4) 等傳統(tǒng)產(chǎn)品方面憑借價格競爭力撼動市場。

Kiwoom 證券研究員 Park Yoo-ak 評論道：“預(yù)計今年年底和明年初 DRAM 價格的跌幅將比預(yù)期大幅下降，”并補(bǔ)充說，“由于中國廠商和其他公司以低價銷售產(chǎn)品，因此直到明年第二季度，DRAM供應(yīng)增長率將超過需求增長率。”一位商界高級官員也認(rèn)同這種觀點，他表示：“如果 DRAM 價格波動，三星電子等領(lǐng)先企業(yè)的業(yè)績將下降，甚至影響稅收收入?！?/p>

截至11月，PC DDR5 16Gb產(chǎn)品的平均固定交易價格為3.9美元，較10月的4.05美元下降3.7%。與7月份4.65美元的價格相比，跌幅達(dá)到16.1%。商界擔(dān)心，如果半導(dǎo)體價格進(jìn)一步加速下跌，對整體經(jīng)濟(jì)的不利影響可能會加大。如果三星電子和SK海力士的糟糕表現(xiàn)長期持續(xù)，可能會擾亂兩家公司數(shù)十萬億韓元的年度設(shè)施投資計劃。這可能會導(dǎo)致一種“反向乘數(shù)效應(yīng)”，即投資減少導(dǎo)致國內(nèi)整體經(jīng)濟(jì)萎縮。

一位半導(dǎo)體行業(yè)官員指出，“如果半導(dǎo)體下行周期與當(dāng)前形勢重疊，可能會對整個經(jīng)濟(jì)造成沖擊”，并補(bǔ)充道，“政界至少需要考慮采取措施減少企業(yè)管理的不確定性?！绷硪晃簧探绺呒壒賳T強(qiáng)調(diào)了局勢的嚴(yán)重性，他表示：“這就好像是在經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域而非政治領(lǐng)域宣布了緊急狀態(tài)?！?/p>

DRAM 市場的現(xiàn)狀表明未來將面臨充滿挑戰(zhàn)的時期，預(yù)計價格將持續(xù)下跌趨勢至明年初。這對嚴(yán)重依賴半導(dǎo)體行業(yè)的韓國經(jīng)濟(jì)產(chǎn)生了重大影響。政策制定者和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者需要小心應(yīng)對這些動蕩的局勢，以減輕潛在的經(jīng)濟(jì)影響。

目前，股市有下調(diào)三星電子、SK海力士等韓國本土存儲器企業(yè)目標(biāo)股價的趨勢。

NH Investment & Securities將三星電子的目標(biāo)股價從9萬韓元下調(diào)16.67%至7.5萬韓元。這反映出傳統(tǒng)半導(dǎo)體價格跌幅超出預(yù)期、中國存儲器企業(yè)的追趕以及HBM的比例。摩根大通最近將三星電子的目標(biāo)股價從8.3萬韓元下調(diào)至6萬韓元。投資意見也被下調(diào)至“中性”。SK海力士的目標(biāo)股價也從26萬韓元下調(diào)至21萬韓元。

在此形勢下，美光的業(yè)績公布和預(yù)測有望成為衡量韓國存儲器行業(yè)未來表現(xiàn)的關(guān)鍵指標(biāo)。

三星的絕地反擊

面對這種世界變化，三星正在強(qiáng)勢出擊。首先，公司更換了存儲業(yè)務(wù)的負(fù)責(zé)人。三星表示，公司副董事長兼設(shè)備解決方案 (DS) 部門負(fù)責(zé)人 Young Hyun Jun 被任命為首席執(zhí)行官，并將擔(dān)任內(nèi)存業(yè)務(wù)和三星先進(jìn)技術(shù)研究院負(fù)責(zé)人。這是三星面對當(dāng)前競爭做出的第一個決定。

隨后在DRAM方面，三星電子開始投資大規(guī)模生產(chǎn)“1c D”RAM。據(jù)了解，近期已向相關(guān)合作伙伴訂購了生產(chǎn)設(shè)備，安裝工作將于明年2月左右開始。由于1c DRAM是決定三星電子下一代HBM4競爭力的關(guān)鍵要素，因此看來正在為及時量產(chǎn)該產(chǎn)品做好準(zhǔn)備。據(jù)業(yè)內(nèi)人士9日透露，三星電子最近開始訂購設(shè)備，用于在平澤第四園區(qū)（P4）建設(shè)1c DRAM量產(chǎn)線。

1c DRAM 是第六代 10 納米 DRAM。電路線寬約為11至12納米(nm)。它是比目前商業(yè)化的最新一代1b（第5代）DRAM領(lǐng)先一代的產(chǎn)品，預(yù)計從明年開始全面商業(yè)化。因此，三星電子也一直在重點開發(fā)1c DRAM。去年第三季度，取得了明顯的成果，例如首次獲得了1c DRAM的“Know Good Die”（正常運行的芯片）。

此外，三星電子已經(jīng)開始準(zhǔn)備量產(chǎn)1c DRAM。最近發(fā)現(xiàn)P4內(nèi)的新DRAM生產(chǎn)線已投資用于量產(chǎn)1c DRAM的設(shè)備。到目前為止，1c DRAM 僅在試驗（試生產(chǎn)）線上生產(chǎn)。

因此，Lam research等主要設(shè)備公司的設(shè)備預(yù)計將于明年第一季度開始引進(jìn)。與DRAM總產(chǎn)量相比，目前的投資規(guī)模估計并不算大。不過，據(jù)悉，三星電子內(nèi)部和外部正在就追加投資進(jìn)行討論。

半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)人士解釋說：“據(jù)我了解，三星電子將于明年 2 月左右開始引進(jìn) 1c DRAM 量產(chǎn)設(shè)備?！辈⒀a(bǔ)充道，“待 1c DRAM 產(chǎn)量穩(wěn)定到一定程度后，才會追加投資”。”。

三星電子的1c DRAM在供應(yīng)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）HBM4（第六代HBM）的競爭中也具有重要意義。

三星電子一直使用1a（第4代）DRAM，直至HBM3E（第5代HBM），但計劃在HBM4中使用1c DRAM。主要競爭對手 SK 海力士和美光在 HBM3E 之后在 HBM4 中保留 1b DRAM。

HBM 是多個 DRAM 垂直堆疊的存儲器。因此，核心芯片DRAM的性能對HBM的性能有重大影響。這就是為什么人們預(yù)計，如果三星電子成功地將1c DRAM應(yīng)用于HBM4，它將能夠重新獲得在下一代HBM市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。

不過，目前還很難確定三星電子是否能夠成功量產(chǎn)1c DRAM和HBM4。盡管三星電子正在全力開發(fā)1c DRAM，但尚未實現(xiàn)穩(wěn)定的良率。另一位官員表示，“三星電子的目標(biāo)是在明年下半年量產(chǎn)HBM4，因此似乎正在為此進(jìn)行設(shè)備投資。關(guān)鍵在于DRAM和HBM的良率能多快提高?！?/p>

在NAND 方面，三星也率先完成400 層 NAND 的突破。

據(jù)介紹，三星電子在其半導(dǎo)體研究所成功完成了其突破性 400 層 NAND 技術(shù)的開發(fā)。該公司已開始將這項先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)移到平澤園區(qū)一號工廠的大規(guī)模生產(chǎn)線上，這一過程于上個月開始。這一重要的里程碑使三星處于 NAND 閃存技術(shù)的前沿，因為它準(zhǔn)備與 SK 海力士等行業(yè)競爭對手競爭，后者最近宣布批量生產(chǎn) 321 層 NAND。

三星電子計劃于明年 2 月在美國舉行的 2025 年國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上詳細(xì)發(fā)布其 1Tb 容量 400 層三級單元 (TLC) NAND。這種先進(jìn) NAND 的量產(chǎn)預(yù)計將于明年下半年開始，不過一些行業(yè)專家預(yù)測，如果加快進(jìn)程，生產(chǎn)可能會在第二季度末開始。

400層NAND的開發(fā)代表了NAND閃存技術(shù)的重大飛躍，該技術(shù)已從傳統(tǒng)的平面（2D）NAND發(fā)展到三星于2013年推出的3D NAND。該技術(shù)涉及垂直堆疊存儲單元以提高存儲密度和效率。三星為 400 層 NAND 引入“三重堆棧”技術(shù)，其中涉及將存儲單元堆疊為三層，標(biāo)志著該領(lǐng)域的顯著進(jìn)步。

SK海力士的攻和守

憑借HBM實現(xiàn)反超的SK海力士，也不甘于被三星直接追上。他們也在存儲方面祭出了自己的絕招。

首先，在DRAM方面。據(jù)報道，SK 海力士計劃將位于京畿道利川總部的一些 DRAM 關(guān)鍵人員派往清州，以擴(kuò)大其高帶寬存儲器 (HBM) 的生產(chǎn)能力至清州 M15X 晶圓廠，以應(yīng)對供應(yīng)短缺的問題。

據(jù)業(yè)界15日透露，SK海力士預(yù)計將聘用部分在京畿道利川校區(qū)工作的與DRAM整個工藝相關(guān)的精英員工，并將其轉(zhuǎn)移至清州校區(qū)。

目前，SK海力士將M11、M12、M15工廠所在的清州園區(qū)作為NAND閃存生產(chǎn)基地，將M14、M16工廠所在的利川園區(qū)作為DRAM生產(chǎn)基地。

尤其是SK海力士在清州園區(qū)建設(shè)的M15X，是投資20多萬億韓元建設(shè)的現(xiàn)有M15的擴(kuò)建工廠，計劃于明年11月竣工，重點生產(chǎn)DRAM中的HBM。

此次選拔的骨干人員將負(fù)責(zé)M15X作業(yè)所需的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和設(shè)備設(shè)置等基礎(chǔ)工作。

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，HBM市場暫時仍將供不應(yīng)求，真正需要HBM的客戶訂單也紛至沓來，SK海力士明年的庫存也已“售罄”。

SK集團(tuán)會長崔泰源上個月初在“SK AI Summit 2024”上表示，“每當(dāng)有新的GPU發(fā)布時，NVIDIA都會要求SK海力士提供更多的HBM，并總是要求提前商定的時間表”，并補(bǔ)充道，“上次我和Nvidia CEO黃仁勛見面時，我要求他將HBM4(第六代)的供應(yīng)提前六個月。”

SK海力士3月份在業(yè)內(nèi)首次向AI大客戶Nvidia供應(yīng)HBM3E第8層，并于上個月在全球首次量產(chǎn)HBM3E第12層產(chǎn)品，計劃于本季度出貨。

與此同時，SK 海力士認(rèn)為，HBM 需求放緩和供應(yīng)過剩的擔(dān)憂“為時過早”。SK 海力士預(yù)測：“隨著對 AI 芯片的需求不斷增長，以及客戶擴(kuò)大對 AI 投資意愿得到確認(rèn)，明年對 HBM 的需求將超過預(yù)期?！?/p>

市場研究公司 TrendForce 在之前的報告中表示：“由于人工智能需求的快速增長，HBM 已成為 DRAM 行業(yè)的主要增長引擎。特別是 HBM3E（第五代）明年將保持供應(yīng)緊張。”

來到NAND方面，如上所述，SK海力士開始量產(chǎn)321層3D NAND。

SK 海力士已開始量產(chǎn)其 321 層 3D NAND，贏得了閃存層數(shù)競賽，而西部數(shù)據(jù)則聲稱其 218 層 NAND 已結(jié)束這一競賽。

這家韓國 NAND 制造商正在使用所謂的三插頭（three-plugs）技術(shù)來互連三層 NAND，每層約 100 層，并構(gòu)建 1 Tbit TLC（3 位/單元）芯片。該公司去年 8 月對 321 層芯片進(jìn)行了送樣。

SK海力士NAND開發(fā)負(fù)責(zé)人Jungdal Choi認(rèn)為：“SK海力士將在以HBM（高帶寬存儲器）為主導(dǎo)的DRAM業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上，通過在超高性能NAND領(lǐng)域增加完美的產(chǎn)品組合，向全棧AI存儲器提供商邁進(jìn)?！?/p>

SK 表示，其插頭（plugs）完成了 NAND 單元生產(chǎn)過程，該過程通過逐層堆疊基板開始。該公司表示，“重復(fù)每一層的單元形成過程效率低下，并會增加制造成本。因此，首先堆疊多層基板，然后在這些層上鉆出稱為插頭的垂直孔，然后在孔旁邊形成單元?！?/p>

這些孔不是鉆出來的，而是蝕刻出來的。其他 NAND 制造商將這些孔稱為硅通孔 ( TSV )。蝕刻設(shè)備在 100 層以下工作良好，但之后就變得不可靠了。相反，它會在三組 100 層中創(chuàng)建插頭，這些插頭垂直堆疊。

該公司表示，憑借其三插頭技術(shù)，“包括cell形成在內(nèi)的所有過程都可以在所有層上同時進(jìn)行?！?/p>

“通過這種方式，SK海力士能夠通過單一工藝同時制造施加電壓和電子通道的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)——字線和字線階梯。”

字線是連接每層 NAND 單元控制柵極的連接線。字線階梯是將每層的字線暴露在頂面的結(jié)構(gòu)。然而，每層中的插頭可能并非完全對齊。

SK 海力士還有另一個技術(shù)絕招。插頭內(nèi)襯有 CTF（Charge Trap Flash：電荷捕獲閃存）薄膜，需要在底部與電氣通路相接的地方將其移除。這在上圖中稱為連接點。CTF 薄膜是氧化物和氮化物薄膜的復(fù)合材料，可替代浮柵。

該公司表示：“以前，蝕刻氣體從插頭頂部注入，以垂直方式去除插頭底部的 CTF 膜。但是，當(dāng)堆疊兩個或多個插頭時，插頭的中心不對齊。這阻止了蝕刻氣體到達(dá)底部，從而損壞了插頭作為電池一側(cè)的 CTF 膜?！?/p>

它通過為蝕刻氣體提供單獨的側(cè)向源路徑解決了這個問題?！拔g刻氣體被注入單獨的路徑，到達(dá)NAND層的底部并去除插頭兩側(cè)的CTF膜。使用側(cè)向源技術(shù)，蝕刻氣體不會直接注入插頭。因此，即使插頭未對準(zhǔn)，內(nèi)部也不會受損。因此，SK海力士大大降低了缺陷率，提高了生產(chǎn)率，并解決了與多重堆疊相關(guān)的成本增加的問題。”

水平路徑連接不會在 NAND 層底部留下空隙。

SK 海力士強(qiáng)調(diào) NAND 性能。憑借 321 層技術(shù)，它能夠使用較低的 3D NAND 層數(shù)，與競爭對手的 QLC（4 位/單元）芯片達(dá)到的容量相媲美，并且憑借其 TLC（3 位/單元）格式，獲得比 QLC 更快的性能和耐用性。

該公司表示，“與上一代產(chǎn)品相比，這款最新產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了 12%，讀取性能提高了 13%。它還將數(shù)據(jù)讀取功率效率提高了 10% 以上?！盨K 海力士認(rèn)為其 321 層 NAND 適用于需要低功耗和高性能的 AI 應(yīng)用。

Wedbush 分析師 Matt Bryson 表示：“雖然層數(shù)確實令人印象深刻，但我們收到的有關(guān)海力士新部件預(yù)期質(zhì)量的反饋并不那么樂觀，我們的對話表明，美光和 Kioxia/WD（采用 BiCS8）似乎在預(yù)期的下一代 NAND 位性能方面處于領(lǐng)先地位。”

SK海力士表示，其321層NAND芯片將于2025年上半年向客戶推出。

兩巨頭的新目標(biāo)

在鞏固現(xiàn)有技術(shù)和市場的同時，兩大存儲巨頭也向著新技術(shù)和市場前進(jìn)。例如，雙方都在押注HBM和CXL。

據(jù)10月底的報道，領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商三星電子和 SK 海力士正在調(diào)整戰(zhàn)略，專注于高帶寬內(nèi)存 4 (HBM4) 和 Compute Express Link (CXL) 等高價值技術(shù)。這一舉措受到競爭日益激烈的內(nèi)存市場的推動，中國公司正在擴(kuò)大生產(chǎn)能力并采用激進(jìn)的定價策略來搶占市場份額。

三星最近在 OCP（開放計算項目）全球峰會上展示了其在 CXL 技術(shù)方面的進(jìn)展。該公司計劃在 2024 年底前量產(chǎn)符合 CXL 2.0 協(xié)議的 256GB CMM-D。CXL 是一種旨在提高 CPU、GPU 和內(nèi)存之間數(shù)據(jù)傳輸效率和速度的技術(shù)，有望在下一代 AI 和計算工作負(fù)載中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

與此同時，SK 海力士重申了生產(chǎn) HBM4 的承諾，計劃于 2025 年下半年開始量產(chǎn)，隨后于 2026 年推出 HBM4E。該公司還在探索混合鍵合技術(shù)的潛力，該技術(shù)可以進(jìn)一步提高性能。這些高端內(nèi)存解決方案預(yù)計將獲得高價，使三星和 SK 海力士有別于其低成本競爭對手。

雖然向高價值技術(shù)的轉(zhuǎn)變帶來了機(jī)遇，但也帶來了特殊的挑戰(zhàn)。開發(fā) HBM4 和 CXL 等尖端內(nèi)存解決方案需要大量研發(fā)投入。這些技術(shù)的復(fù)雜性增加了生產(chǎn)成本，使得競爭不僅僅是市場份額，而是技術(shù)領(lǐng)先地位。

與此同時，三星和SK海力士正在合作，旨在加速低功耗 LPDDR6-PIM 產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)化。

三星電子和 SK 海力士正在合作標(biāo)準(zhǔn)化“低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 6 (LPDDR6)-內(nèi)存處理 (PIM)”產(chǎn)品。此次合作旨在加快人工智能 (AI) 專用低功耗存儲器的標(biāo)準(zhǔn)化，與設(shè)備上人工智能（在單個設(shè)備內(nèi)處理人工智能）的技術(shù)轉(zhuǎn)變保持一致。兩家公司已確定有必要結(jié)成聯(lián)盟，以順應(yīng)這一趨勢將下一代內(nèi)存商業(yè)化。

三星電子和 SK 海力士之間的合作正處于早期階段，正在進(jìn)行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會 (JEDEC) 注冊標(biāo)準(zhǔn)化的初步工作。關(guān)于每個待標(biāo)準(zhǔn)化項目的適當(dāng)規(guī)范的討論正在進(jìn)行中。與傳統(tǒng)內(nèi)存相比，具有 PIM 的 LPDDR 需要考慮不同的技術(shù)特性，例如“內(nèi)部帶寬”，它指的是內(nèi)存內(nèi)的帶寬，而不是對傳統(tǒng)內(nèi)存至關(guān)重要的處理器和內(nèi)存之間的“外部帶寬”。三星電子的一位代表表示，“兩家公司正在就產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化交換意見并進(jìn)行合作”，并補(bǔ)充道，“由于合作剛剛開始，我們正在制定標(biāo)準(zhǔn)化目標(biāo)時間表的實施計劃。

兩家公司都將PIM技術(shù)確定為未來的增長引擎，并一直在開發(fā)產(chǎn)品，但在商業(yè)化方面尚未取得重大進(jìn)展。三星電子推出了帶有PIM的HBM和LPDDR5產(chǎn)品，并追求標(biāo)準(zhǔn)化，但沒有取得成果。SK海力士還發(fā)布了Graphics DRAM（GDDR6）-PIM，但這本質(zhì)上是一個象征性的產(chǎn)品發(fā)布。根據(jù)各自的標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)產(chǎn)品，導(dǎo)致概念和規(guī)范存在差異，導(dǎo)致行業(yè)難以采用通用標(biāo)準(zhǔn)。這就是為什么兩家公司在 PIM 產(chǎn)品發(fā)布之前就開始在標(biāo)準(zhǔn)化方面進(jìn)行合作的原因。

設(shè)備端AI技術(shù)的興起也加速了PIM內(nèi)存的商業(yè)化。設(shè)備端人工智能是指在智能手機(jī)等設(shè)備內(nèi)處理人工智能計算的技術(shù)。雖然像 ChatGPT 這樣的人工智能服務(wù)是基于云的，但這項技術(shù)正在引起人們的關(guān)注，因為它出于安全性和低延遲等原因在設(shè)備內(nèi)處理數(shù)據(jù)。當(dāng)應(yīng)用PIM技術(shù)時，處理器和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)移動減少，與傳統(tǒng)內(nèi)存相比，顯著降低了功耗。這就是為什么 PIM 內(nèi)存在設(shè)備端 AI 中備受推崇，而低功耗對于設(shè)備端 AI 至關(guān)重要。

根據(jù)市場研究公司 MarketsandMarkets 的數(shù)據(jù)，全球設(shè)備端人工智能市場預(yù)計將以年均 37.7% 的速度增長，到 2030 年將達(dá)到 1739 億美元（228 萬億韓元）。這一預(yù)計增長凸顯了三星與三星之間合作的戰(zhàn)略重要性。和 SK 海力士致力于下一代內(nèi)存技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化和商業(yè)化。