編者按：本文為專(zhuān)欄作者土味財(cái)經(jīng)授權(quán)創(chuàng)業(yè)邦發(fā)表，版權(quán)歸原作者所有。
10月4日晚間，中芯國(guó)際回應(yīng)，表示已經(jīng)知悉美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局 （BIS）確實(shí)已經(jīng)根據(jù)美國(guó)出口管制條例 EAR744.21(b)向部分供應(yīng)商發(fā)出的信函，信函內(nèi)容顯示，對(duì)于向中芯國(guó)際出口的部分美國(guó)設(shè)備、配件及原物料會(huì)受到美國(guó)出口管制規(guī)定的進(jìn)一步限制，須事前申請(qǐng)出口許可證后，才能向中芯國(guó)際繼續(xù)供貨。
早在9月下旬，路透社和《金融時(shí)報(bào)》接連報(bào)道，內(nèi)容涉及轉(zhuǎn)發(fā)一份疑似由美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（Bureau of Industry and Security）簽發(fā)的文件，根據(jù)該文件內(nèi)容顯示，針對(duì)中芯國(guó)際及其子公司和合資公司出口的某些產(chǎn)品，將受到出口管制，但當(dāng)時(shí)中芯曾公告稱(chēng)不知情。
消息確認(rèn)，也是一種石頭落地。
據(jù)我所知，美國(guó)對(duì)于中芯國(guó)際的出口管制并不是現(xiàn)在才開(kāi)始的。
中芯國(guó)際向荷蘭ASML公司訂購(gòu)的EUV 7nm最高端光刻機(jī)，在長(zhǎng)達(dá)兩年時(shí)間內(nèi)，由于美國(guó)的阻撓，無(wú)法交貨，在可以預(yù)見(jiàn)的將來(lái)，交貨期也仍然遙遙無(wú)期，而目前擁有這款7nm設(shè)備的，只有Intel、三星和臺(tái)積電。
其實(shí)中芯國(guó)際自成立以來(lái)，被瓦森納協(xié)定所困，一直無(wú)法買(mǎi)到最先進(jìn)的制造設(shè)備，于是在2011年被迫與比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）合作，采用了曲線救國(guó)的方式，即：
IMEC先從ASML應(yīng)用材料買(mǎi)設(shè)備，用完5年后符合瓦森納協(xié)議要求就可以轉(zhuǎn)賣(mài)給中芯國(guó)際，這就是中芯國(guó)際落后的根本原因——根本買(mǎi)不到新設(shè)備。
英特爾、三星、臺(tái)積電2015年能買(mǎi)到ASML10nm的光刻機(jī)，而大陸的中芯國(guó)際，2015年只能買(mǎi)到ASML2010年生產(chǎn)的32nm的光刻機(jī)。5年時(shí)間對(duì)半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，已經(jīng)足夠讓市場(chǎng)更新?lián)Q代3次了。
此前奧巴馬當(dāng)政的時(shí)候，中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)等半國(guó)內(nèi)導(dǎo)體公司進(jìn)口的很多設(shè)備都需要取得出口許可證，但經(jīng)過(guò)雙方的交流和溝通，設(shè)備也都購(gòu)買(mǎi)回來(lái)了?，F(xiàn)在我國(guó)最先進(jìn)的工藝也推進(jìn)到了14納米，也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。只是現(xiàn)在美國(guó)國(guó)內(nèi)對(duì)華鷹派占據(jù)了主導(dǎo)地位，所以他們將遏制中國(guó)放到了首要位置，華為和中芯國(guó)際就成為了首要目標(biāo)。
芯片制造的核心設(shè)備，目前還無(wú)法繞過(guò)，特別是ASML的EUV光刻機(jī)，已經(jīng)成為中芯國(guó)際的一個(gè)“單點(diǎn)故障”。
單點(diǎn)故障（英語(yǔ)：single point of failure，縮寫(xiě)SPOF）是指系統(tǒng)中一點(diǎn)失效，就會(huì)讓整個(gè)系統(tǒng)無(wú)法運(yùn)作的部件，換句話說(shuō)，單點(diǎn)故障即會(huì)整體故障。
ASML之于中芯國(guó)際，與臺(tái)積電之于華為，相似之處是都構(gòu)成了“單點(diǎn)故障”。華為離開(kāi)了臺(tái)積電的7nm工藝，就無(wú)法落地制造海思的芯片，中芯國(guó)際離開(kāi)了ASML最新的EUV光刻機(jī)，就無(wú)法落地自己的7nm先進(jìn)工藝。美國(guó)掐住了這兩家公司的脖子，就相當(dāng)于掐住了中國(guó)半導(dǎo)體向上的唯一通道。
美國(guó)對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的精準(zhǔn)打擊，是經(jīng)過(guò)了嚴(yán)密的策略咨詢(xún)的，據(jù)說(shuō)是請(qǐng)了頂級(jí)智庫(kù)公司波士頓咨詢(xún)做了詳細(xì)的研究報(bào)告和方案推演，所以美國(guó)對(duì)于中國(guó)目前的弱點(diǎn)非常清楚。
美國(guó)人當(dāng)然也算到了，我們可能會(huì)不計(jì)一切成本，加快投入追趕半導(dǎo)體技術(shù)，這就進(jìn)入了當(dāng)年美國(guó)用“星球大戰(zhàn)計(jì)劃”給蘇聯(lián)下的圈套里，美國(guó)可以用軍備競(jìng)賽拖垮對(duì)手的經(jīng)濟(jì)。
那么，如何繞過(guò)“中國(guó)芯”的單點(diǎn)故障？
在新能源、高鐵和面板技術(shù)趕超的經(jīng)驗(yàn)下，在半導(dǎo)體技術(shù)上我們有沒(méi)有可能彎道超車(chē)？
看看新能源汽車(chē)的例子，早在1992年，錢(qián)學(xué)森給當(dāng)時(shí)的國(guó)務(wù)院副總理鄒家華寫(xiě)了一封信。
信中錢(qián)老表達(dá)了幾個(gè)觀點(diǎn)：
1、我國(guó)可以從1992年開(kāi)始從汽油柴油階段，直接進(jìn)入新能源電池階段；
2、預(yù)測(cè)2020年我國(guó)汽車(chē)產(chǎn)量將達(dá)1000萬(wàn)輛；
3、當(dāng)時(shí)氫鎳電池一次充電250-300公里，具備一定實(shí)用性；
4、哈工大的教授已經(jīng)正在研發(fā)新型電池技術(shù)；
事實(shí)上，2019年我國(guó)汽車(chē)銷(xiāo)量超過(guò)了2500萬(wàn)，已經(jīng)超出了錢(qián)老的預(yù)測(cè)，說(shuō)明我們的前進(jìn)速度超出了預(yù)期。錢(qián)老說(shuō)我們汽車(chē)產(chǎn)業(yè)應(yīng)該直接跨越汽油柴油階段，直接進(jìn)入電池新能源新時(shí)代，現(xiàn)在我們的電池技術(shù)確實(shí)已經(jīng)在世界同步的最高水平。
前幾年的新能源汽車(chē)政策雖然飽受詬病，但是路徑是清晰的，就是要跳過(guò)燃油車(chē)的技術(shù)障礙，直接跳到電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域與歐美對(duì)決，這樣就大大節(jié)省了在燃油車(chē)領(lǐng)域的低效技術(shù)追趕投資。
還有我國(guó)在氫彈領(lǐng)域的彎道超車(chē)也很典型。
美蘇兩國(guó)首先研制出氫彈，我國(guó)后來(lái)才開(kāi)始研制氫彈，但是中國(guó)研發(fā)氫彈只歷時(shí)了2年多的時(shí)間便實(shí)驗(yàn)成功，是世界上用時(shí)最少也是歷經(jīng)試驗(yàn)次數(shù)最少的，當(dāng)時(shí)震驚了世界。
我國(guó)并沒(méi)有去復(fù)制美蘇氫彈的技術(shù)，由于我國(guó)科學(xué)家于敏發(fā)明了“于敏結(jié)構(gòu)”，采用了更新型更好的創(chuàng)新模式，使得中國(guó)制造的氫彈穩(wěn)定性比其他的氫彈高出很多，以至于此氫彈可以存放較長(zhǎng)的時(shí)間用于備戰(zhàn)，在這一點(diǎn)上，當(dāng)時(shí)沒(méi)有任何一個(gè)國(guó)家能做到。
目前我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，芯片設(shè)計(jì)水平與國(guó)際基本相當(dāng)，封裝技術(shù)水平約有4-5年差距，制造工藝差距在3年半左右。這跟當(dāng)年我國(guó)建國(guó)剛起步時(shí)與發(fā)達(dá)國(guó)家在某些領(lǐng)域的差距要小多了。
只要國(guó)家有決心，有耐心，愿意花五到十年的時(shí)間，半導(dǎo)體領(lǐng)域彎道超車(chē)的目標(biāo)是可以實(shí)現(xiàn)的。
從光刻機(jī)的角度來(lái)看，ASML的EUV光刻機(jī)最多能夠支撐到5nm的工藝，而對(duì)于3nm乃至更先進(jìn)的工藝來(lái)說(shuō)，ASML已經(jīng)完成了High NA EUV的設(shè)計(jì)工作。
我們與其去苦苦追趕7nm的EUV技術(shù)，不如提早布局，同步進(jìn)擊High NA EUV領(lǐng)域，這樣可以加快追趕的速度。
而晶體管超過(guò)5nm之后，晶體管Cell的模式可能將是各種形狀的FET，比如Nanosheet和Nanowire等的GAAFET，目前主流的FinFET工藝可能將會(huì)被淘汰。
如果以十年期為目標(biāo)，還有一個(gè)方向是：盡早采用碳納米管，在半導(dǎo)體核心擺脫硅，這將是真正的彎道超車(chē)戰(zhàn)略，將縮短進(jìn)入1nm以下微觀世界的時(shí)間。
半導(dǎo)體的競(jìng)爭(zhēng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不只是光刻機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)，還有材料、設(shè)計(jì)工具（EDA）、化學(xué)蝕刻、光學(xué)/量子技術(shù)、設(shè)計(jì)人才等各個(gè)方面的競(jìng)爭(zhēng)。在我們面前，至少技術(shù)發(fā)展路徑是清晰的，目前還不存在誤入歧途的風(fēng)險(xiǎn)。
無(wú)論是中芯國(guó)際和華為，現(xiàn)階段的損失對(duì)于中國(guó)來(lái)說(shuō)只是眼前一城一鎮(zhèn)的得失，能否在長(zhǎng)跑中取得最終的勝利，才是最重要的。
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