編者按：本文來源創(chuàng)業(yè)邦專欄華映資本，圖源攝圖網(wǎng)，創(chuàng)業(yè)邦經(jīng)授權(quán)轉(zhuǎn)載。

近年，「第三代半導(dǎo)體」在多個領(lǐng)域嶄露頭角，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為主的第三代化合物半導(dǎo)體已然成為產(chǎn)業(yè)端、投資界及各地政府的寵兒，這得益于其自身優(yōu)秀的物理特性及產(chǎn)業(yè)端的快速拉動。

華映資本作為中國最早專注于TMT、數(shù)字內(nèi)容的私募股權(quán)基金之一，長期關(guān)注硬科技及企業(yè)服務(wù)領(lǐng)域的投資機(jī)會，看好第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)、代表性企業(yè)的發(fā)展前景。

本期華映洞察，將圍繞第三代半導(dǎo)體材料的優(yōu)異特性、市場前景、應(yīng)用領(lǐng)域、行業(yè)現(xiàn)狀，一起揭開「第三代半導(dǎo)體」的神秘面紗，共探投資機(jī)遇。

投資機(jī)遇

• 多個下游產(chǎn)業(yè)集中爆發(fā)，40-50%的應(yīng)用市場將在中國，下游的爆發(fā)導(dǎo)致上游晶圓供不應(yīng)求；性能及成本即將達(dá)到產(chǎn)業(yè)化甜蜜點(diǎn)，產(chǎn)品進(jìn)入高速導(dǎo)入期；

• 不同于傳統(tǒng)硅基IC的晶圓及芯片制造，第三代半導(dǎo)體材料及器件生產(chǎn)投資周期短，投資金額小，對高端設(shè)備依賴相對較弱，固定資產(chǎn)投資不大，更依賴于工藝和人，適合VC投資；

• 國內(nèi)起步較晚，國家“十四五”政策大力支持，自主可控需求明確；國產(chǎn)替代空間巨大，尚未形成行業(yè)寡頭。

看好的方向

• 6-8寸襯底、外延附加值高，占器件成本75%以上，工藝難度大，掌握核心技術(shù)的人才稀缺；

• 存在巨大的市場機(jī)會，國內(nèi)企業(yè)處于同一起跑線，寡頭格局并未形成。

看好的項(xiàng)目基因

• 傾向于有多年的第三代半導(dǎo)體從業(yè)經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)，具備國際化能力（20年+)；

• 上游材料或器件2年可以投產(chǎn)、產(chǎn)能過萬片；

• 6-8寸襯底/外延量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)或核心技術(shù)、擴(kuò)徑技術(shù)、一定的設(shè)備研發(fā)能力；

• 產(chǎn)品（樣品）性能優(yōu)異（良率、缺陷密度等），生產(chǎn)工藝水平處于國際前列。

關(guān)心的核心指標(biāo)

• 生產(chǎn)成本及良率：涉及襯底/外延生長時間、生長溫度、生長速度、每爐耗電量、每爐切片數(shù)量、硬度等；

• 參數(shù)指標(biāo)：缺陷密度、TTV（總厚度偏差），BOW（彎曲度），WRAP（翹曲度），表面粗糙度，微管密度、電阻率，空洞及裂紋；

• 重點(diǎn)關(guān)注客戶樣品測試報告、產(chǎn)品一致性、客戶評價、訂單情況、客戶數(shù)量和質(zhì)量，送樣/產(chǎn)品進(jìn)展。

1. 第三代半導(dǎo)體材料物理特性優(yōu)勢突出

半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電與性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。從應(yīng)用普及的進(jìn)程來劃分，可分為第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料、第三代半導(dǎo)體材料等。第一代半導(dǎo)體材料包括Si（硅）、Ge（鍺）等，Si以優(yōu)異性能、低廉價格及成熟的工藝，在大規(guī)模集成電路領(lǐng)域地位不可撼動；第二代半導(dǎo)體材料包括GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）等，GaAs主要運(yùn)用于大功率發(fā)光電子器件和射頻器件；第三代導(dǎo)體材料包括SiC、GaN等，GaN主要運(yùn)用于光電器件和微波射頻器件，SiC主要運(yùn)用于功率器件。

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三代半導(dǎo)體作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，具備諸多優(yōu)異的物理特性。以SiC為例，相比傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體材料，SiC擁有3倍的禁帶寬度、3倍的熱導(dǎo)率、近10倍的擊穿場強(qiáng)、以及2倍的電子飽和漂移速率。其器件體積小、超高切換頻率、超高電壓工作、高溫下器件穩(wěn)定性高是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能最好、產(chǎn)業(yè)化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料。

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• 擊穿電場高→耐高壓、導(dǎo)通電阻低→小型化、可靠性強(qiáng)。理論上，相同耐壓的器件，SiC的單位面積的漂移層阻抗可以降低到Si的1/300。

• 高電子飽和漂移速度→高頻開關(guān)損耗小→提高轉(zhuǎn)換效率。

• 禁帶寬度大、導(dǎo)熱系數(shù)高→耐高溫→可在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，減小散熱設(shè)備面積。未來車企或?qū)⒛軌虬褍商姿湎到y(tǒng)合二為一甚至直接采用風(fēng)冷系統(tǒng)，這將大大降低HEV驅(qū)動系統(tǒng)的成本，同時空出更多的車身空間以裝配更多的電子元器件。

2. 第三代半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，擁抱巨大增量市場

新能源汽車領(lǐng)域

在功率等級相同的條件下，采用SiC器件可將電驅(qū)、電控等體積小型化，滿足功率密度更高、設(shè)計(jì)更緊湊的需求，同時也能使電動車?yán)m(xù)航里程更長。

據(jù)羅蘭貝格估算，預(yù)計(jì)2025年一臺純電動車中電子系統(tǒng)成本約為7030美元，較2019年的一臺燃油車的3145美元大增3885美元。據(jù)StrategyAnalytics數(shù)據(jù)顯示，純電動汽車中功率半導(dǎo)體占汽車半導(dǎo)體總成本比重約為55%，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)能源汽車的21%。

特斯拉的Model3車型采用了以24個SiC-MOSFET為功率模塊的逆變器，是第一家在主逆變器中集成全SiC功率器件的汽車廠商；目前全球已有超過20家汽車廠商在車載充電系統(tǒng)中使用SiC功率器件；此外，SiC器件應(yīng)用于新能源汽車充電樁，可以減小充電樁體積，提高充電速度。

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光伏領(lǐng)域

基于硅基器件的傳統(tǒng)逆變器成本約占系統(tǒng)10%左右，卻是系統(tǒng)能量損耗的主要來源之一。

使用SiC-MOSFET或SiC-MOSFET與SiC-SBD結(jié)合的功率模塊的光伏逆變器，轉(zhuǎn)換效率可從96%提升至99%以上，能量損耗降低 50%以上，設(shè)備循環(huán)壽命提升50倍，延長器件使用壽命、降低生產(chǎn)成本。

中國目前是最大的光伏組件生產(chǎn)國，占全球產(chǎn)能72.3%。2026年全球太陽能光伏支架系統(tǒng)市場規(guī)模達(dá)到160億美金。

另外，SiC在充電樁、大功率電器、軌道交通領(lǐng)域均有巨大應(yīng)用前景。2023年，全球SiC功率器件市場規(guī)模將達(dá)到15億美金 ，2019-2023年CAGR=21.8% 。

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GaN方面，在射頻和電力電子均有較大發(fā)展?jié)摿Α?/p>

GaN 器件有Si基和SiC基兩種。GaN-on-Si主要應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，用作高功率開關(guān)。GaN-on-SiC 主要應(yīng)用于射頻領(lǐng)域，主要得益于SiC的高導(dǎo)熱率以及低RFloss，適用于功率較大的宏基站。

據(jù)Yole分析，預(yù)計(jì)2025年GaN射頻器件在通信基建上的市場將達(dá)7.31億美元，2019~2025年復(fù)合增速達(dá)14.88%，2025年整體市場規(guī)模達(dá)20億美元，2019~2025年復(fù)合增速達(dá)12%。以我國5G基站市場為例，2020年我國5G基站達(dá)80萬個，2023年預(yù)計(jì)小基站+微基站數(shù)量達(dá)到1.32億個。

據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究院分析，預(yù)計(jì)2023年，我國5G基站建設(shè)需求GaN晶圓約45.3萬片，對應(yīng)4寸半絕緣SiC襯底片需求45.3萬片，襯底和外延需求量持續(xù)增加。此外在快充領(lǐng)域，OPPO和小米等均發(fā)布GaN充電頭，快充領(lǐng)域有望進(jìn)入指數(shù)級爆發(fā)期，2023年市場規(guī)模將達(dá)到60億美金。

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3. 第三代半導(dǎo)體正當(dāng)進(jìn)入商業(yè)化爆發(fā)前夕

需求端

如上文所述，三代半導(dǎo)體材料適合諸多場景的使用，并且在這些場景中，中國幾乎都是全球單一的最大市場國。其中，SiC功率器件因其耐高壓，耐高溫，低能耗，小型化的特點(diǎn)，可以廣泛的應(yīng)用于電動/混動汽車、充電樁/充電站、高鐵軌交、光伏逆變器中。

GaN功率器件憑其高頻率、低損耗、低成本的特點(diǎn)，可以廣泛使用于智能終端快充、數(shù)據(jù)中心、車規(guī)級充電場景中。GaN微波器件因其高頻率、高功率、高效率可以廣泛地應(yīng)用于宏基站/小微基站、智能終端、軍用雷達(dá)、衛(wèi)星通訊等領(lǐng)域。

供給端

近年來隨著工藝的進(jìn)步及下游市場的拉動，三代半導(dǎo)體已經(jīng)初步具備產(chǎn)業(yè)化的基礎(chǔ)，價格亦達(dá)到了量產(chǎn)“甜蜜點(diǎn)”。

全球范圍內(nèi)，襯底和外延由4寸向6寸線轉(zhuǎn)移，Cree已有8寸樣品出貨，未來5年將達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。三代半導(dǎo)體器件價格近年來持續(xù)下降，2023-2024年，SiC模塊價格有望達(dá)到硅基器件價格的3倍以內(nèi)，已具備產(chǎn)能快速爆發(fā)的必要條件。

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國家政策明確，重點(diǎn)解決“卡脖子“問題，政府參與扮演投資人角色

近年來，在國家及地方政府層面，多次出臺行業(yè)扶持政策，重點(diǎn)發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，解決半導(dǎo)體行業(yè)“卡脖子“問題。在火熱的市場環(huán)境下，各地政府也積極參與到三代半導(dǎo)體項(xiàng)目的投資建設(shè)當(dāng)中。

因三代半導(dǎo)體投資規(guī)模相對較低，產(chǎn)業(yè)鏈上游的材料及生產(chǎn)環(huán)節(jié)不再集中于一二線城市，而是全國遍地開花。根據(jù)《火熱的投資環(huán)境以及政策保障下，我國SIC產(chǎn)業(yè)已完成基本布局》一文的整理數(shù)據(jù)顯示，2018-2020年，我國僅SiC項(xiàng)目政府投資達(dá)到32個，計(jì)劃投資金額超過700億。

近兩年的投資熱潮，也使得該領(lǐng)域的企業(yè)普遍估值偏高，產(chǎn)生了泡沫，一些項(xiàng)目在未來3-5年很可能難以落地，行業(yè)將迎來一次洗牌。

數(shù)據(jù)來源：網(wǎng)絡(luò)公開數(shù)據(jù)，華映資本整理

數(shù)據(jù)來源：《火熱的投資環(huán)境以及政策保障下，我國SiC產(chǎn)業(yè)已完成基本布局》，華映資本整理

4. 產(chǎn)業(yè)鏈上游材料工藝難提升工藝擴(kuò)產(chǎn)正當(dāng)時

產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中，上游主要是原材料如碳粉，硅粉，化合物半導(dǎo)體粉體及相關(guān)輔料，根據(jù)其純度不同價格有一定差異，對于襯底廠商來說，為降低成本大部分采用自研粉體，同時也會有一定的比例對外采購。

設(shè)備主要分為材料生產(chǎn)設(shè)備及前端工藝加工設(shè)備。前段工藝加工設(shè)備大部分與傳統(tǒng)硅生產(chǎn)線相同，如高溫離子注入機(jī)、碳膜濺射儀、量產(chǎn)型高溫退火爐等。在上游襯底、外延的材料制備上，由于碳化硅具有硬度高、高溫環(huán)境生長且緩慢等特性，需要一些特殊的生產(chǎn)設(shè)備。

襯底生長環(huán)節(jié)大部分以實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，核心設(shè)備為長晶爐，因其工藝的特殊性，部分襯底廠商會自研爐子，也有個別企業(yè)同時對外銷售。外延設(shè)備、切磨拋設(shè)備及測試設(shè)備目前仍以進(jìn)口日本、歐洲、美國設(shè)備為主。

下圖為碳化硅器件從原材料粉體到制備成熟的器件模組的生產(chǎn)流程，最終器件成本方面，因其材料制備工藝難度大、良率低，襯底占器件價格高達(dá)50%，外延占比25%左右。面對下游行業(yè)需求的爆發(fā)，提升工藝及良率，擴(kuò)大晶圓產(chǎn)能是行業(yè)當(dāng)務(wù)之急。近年來，國內(nèi)代表性襯底企業(yè)山東天岳、天科合達(dá)，外延廠商翰天天成、東莞天域?qū)崿F(xiàn)了快速發(fā)展，也涌現(xiàn)一批后起之秀，如蘇州超芯星、百識電子等。

數(shù)據(jù)來源：網(wǎng)絡(luò)公開數(shù)據(jù)，華映資本整理

5. 海外及中國臺灣碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈全景

全球格局分析：歐美日起步早、中國發(fā)展速度快、美國全球獨(dú)大，80%碳化硅來自美國

美國：保持全球獨(dú)大，擁有Cree、II-VI、Dow Corning、Transphorm等世界知名企業(yè)，占有全球碳化硅70~80%產(chǎn)量；

歐洲：擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件、應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，獨(dú)有高端光刻機(jī)制造技術(shù)、擁有英飛凌、意法半導(dǎo)體、Siltronic、IQE等優(yōu)勢制造商；

韓國：重點(diǎn)研發(fā)和生產(chǎn)高純度SiC粉末、高質(zhì)量SiC外延材料以及硅基SiC和GaN功率器件;

日本：技術(shù)力量雄厚，產(chǎn)業(yè)鏈完整，是設(shè)備和模塊開發(fā)的突出者，擁有松下、羅姆半導(dǎo)體、住友電氣、三菱化工、瑞薩、富士電機(jī)等知名廠商;

中國：發(fā)展較快，近年已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化和收益階段，正在快速追趕國際巨頭；

上市公司方面，有三安光電，北方華創(chuàng)等企業(yè)，大部分為未上市企業(yè)，但最近3年發(fā)展迅速，其中襯底企業(yè)山東天岳、天科合達(dá)已在上市申報階段。

企業(yè)成立的時間上，普遍晚于歐美日巨頭15-20年以上，在襯底、外延工藝方面處于落后位置。國內(nèi)主要技術(shù)源頭：中科院、山東大學(xué)、中電科體系、清華、及海外企業(yè)歸國創(chuàng)業(yè)人才等。

產(chǎn)業(yè)形態(tài)分析：SiC廠商以全產(chǎn)業(yè)鏈的IDM巨頭為主、IDM占器件90%以上

• 化合物半導(dǎo)體芯片性能與材料、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝之間的關(guān)聯(lián)性較強(qiáng)，且三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)難度不如數(shù)字電路復(fù)雜，因此很多企業(yè)采用IDM模式。

• 例如Rohm和CREE整合了SiC從襯底到模組的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)；Mitsubishi Electric和Fuji Electric整合了芯片到終端應(yīng)用系統(tǒng)。

• 全球大部分器件及應(yīng)用市場份額被IDM廠商Infineon、CREE、Rohm、意法半導(dǎo)體等少數(shù)企業(yè)瓜分。

• 2020年CREE占據(jù)襯底市場約52%份額、器件市場約21%份額;CREE和Infineon、Rohm共占器件市場的63%。CREE占據(jù)碳化硅基GaN超過24%市場份額。

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海外及臺灣地區(qū)SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要玩家及龍頭企業(yè)

數(shù)據(jù)來源：方正證券研報、網(wǎng)絡(luò)公開數(shù)據(jù)

數(shù)據(jù)來源：網(wǎng)絡(luò)公開數(shù)據(jù)，華映資本整理，統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)截至2021年5月

CREE-全球三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈龍頭企業(yè)

科銳(CREE)成立于1987年，是美國上市公司(1993年，納斯達(dá)克:CREE)，為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件 和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)突出者。

在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等方面獨(dú)一無二的材料技術(shù)與先進(jìn)的白光技術(shù)，擁有1300多項(xiàng)美國專利、2900多項(xiàng)國際專利和389項(xiàng)中國專利；在SiC領(lǐng)域擁有絕對的領(lǐng)導(dǎo)地位，在2018年SiC晶片市場占比超過62%；收購整合wolfspeed后基于 SiC 襯底的 GaN 具有較強(qiáng)技術(shù)優(yōu)勢，超20%市場份額全球第一。

羅姆-日本三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)

日本ROHM是碳化硅MOSFET分立器件和模組領(lǐng)域第二大公司，提供650V~1700V范圍內(nèi)各種產(chǎn)品；在商業(yè)化碳化硅生產(chǎn)后僅七年時間，ROHM推出了溝槽式碳化硅MOSFET，成為全球第一家量產(chǎn)此類產(chǎn)品的廠商。

II-IV-美國三代半導(dǎo)體襯底+外延代表性企業(yè)

II-VI Deutschland公司屬于II-VI集團(tuán)，于1971年在美國賓夕法尼亞州創(chuàng)立，生產(chǎn)紅外和 CO2激光光學(xué)元件和材料，也是全球較大的激光鏡片制造商。

6. 國內(nèi)(大陸)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈全景

國內(nèi)行業(yè)現(xiàn)狀及趨勢分析：起步晚，布局快，但面臨諸多挑戰(zhàn)

• 器件國產(chǎn)化率極低：我國功率半導(dǎo)體市場國產(chǎn)化程度低，其中IGBT約90%依靠進(jìn)口。SiC、GaN在電力電子領(lǐng)域滲透率約1.5~1.9%，SiC、GaN電力電子同樣 90%以上依賴于進(jìn)口，主要為 CREE、英飛凌、Rohm，國產(chǎn)的功率器件目前僅在SiC二極管有量產(chǎn)銷售突破。

• 產(chǎn)能嚴(yán)重不足，成本高居不下：全求范圍內(nèi)，面對下游應(yīng)用多個行業(yè)的爆發(fā)，產(chǎn)能嚴(yán)重不足，需成倍的擴(kuò)產(chǎn)。

• 6-8寸擴(kuò)徑正當(dāng)時：目前國內(nèi)襯底主要為2-4英寸，未來3~5年，6英寸碳化硅襯底嚴(yán)重匱乏，4寸線3-5年逐漸淘汰。目前國內(nèi)批量出國6寸晶圓的企業(yè)寥寥無幾。以天科合達(dá)為例，2019年其6寸年出貨1500片不到，4寸出貨在3萬多片。目前全球可以穩(wěn)定提供6英寸碳化硅襯底的只有美國的CREE，II-VI和瑞典的Norstel。

• 6英寸在較長時間成為主流，8寸因器件廠商投入產(chǎn)出比不高且前端工藝產(chǎn)能極為緊張，過度會比較慢，但長期看大尺寸是趨勢。

• 良率低，一致性差，工藝亟待改良：國內(nèi)襯底企業(yè)生產(chǎn)良率尚不及CREE等國際大廠，經(jīng)濟(jì)效益有待提升，產(chǎn)品的一致性問題是難以攻克的短板，進(jìn)入主流供應(yīng)鏈需要時間，工藝急需改良。

• 襯底和外延出貨量低，特別是外延出貨量更低，據(jù)悉近年來年出貨量不到萬片。大部分依賴進(jìn)口，主要為英國、韓國、日本、美國等企業(yè)。目前國內(nèi)瀚天天成和天域半導(dǎo)體均可供應(yīng)4-6英寸外延片，月出貨量具體未知，中電科13所、55所亦均有內(nèi)部供應(yīng)的外延片生產(chǎn)部門。

• 芯片設(shè)計(jì)與制造方面：國內(nèi)600-3300VSiC-SBD已開始批量應(yīng)用，有企業(yè)研發(fā)出 1200V/50ASiC-MOSFET；泰科天潤已建成國內(nèi)第一條SiC器件生產(chǎn)線，SBD產(chǎn)品覆蓋 600V-3300V的電壓范圍；中車時代電氣的6英寸SiC生產(chǎn)線也于2018年1月首批芯片試制成功。

• 技術(shù)趨勢：大尺寸、低缺陷、低電阻率、高導(dǎo)熱率。四代半導(dǎo)體(氧化鎵、金剛石等，離產(chǎn)業(yè)化較遠(yuǎn))。

國內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展較晚，目前產(chǎn)業(yè)鏈上下游代表性企業(yè)發(fā)展速度快，已初具規(guī)模

數(shù)據(jù)來源：方正證券研報、網(wǎng)絡(luò)公開數(shù)據(jù)

數(shù)據(jù)來源：網(wǎng)絡(luò)公開數(shù)據(jù)，華映資本整理，統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)截至2021年5月

天科合達(dá)-國內(nèi)碳化硅襯底代表性企業(yè)

天科合達(dá)成立于2006年， SiC晶片、SiC晶體、莫桑鉆、SiC單晶生長 爐、切磨拋代加工、清洗反拋?zhàn)灾餮邪l(fā)設(shè)計(jì)的SiC單晶生長設(shè)備，可用于4到6寸導(dǎo)電及半絕緣型碳化硅單晶的生長制備。

數(shù)據(jù)來源：網(wǎng)絡(luò)公開數(shù)據(jù)，天科合達(dá)2020年招股說明書，華映資本整理

華映資本長期關(guān)注科技及企業(yè)服務(wù)領(lǐng)域投資機(jī)會，深入挖掘在細(xì)分領(lǐng)域具備平臺性價值，或有機(jī)會成為行業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的賦能型企業(yè)。我們看到第三代半導(dǎo)體行業(yè)上游材料工藝的提升及下游應(yīng)用市場的爆發(fā)雙輪驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體將引領(lǐng)多個行業(yè)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)升級和變革，有望催生各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)的獨(dú)角獸企業(yè)。我們將持續(xù)關(guān)注該領(lǐng)域投資機(jī)會，以資本帶動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，助力加快改善我國半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域卡脖子的現(xiàn)狀。

「本文作者」華映資本投資總監(jiān)朱彤，長期關(guān)注新一代信息技術(shù)、先進(jìn)制造、硬科技及企業(yè)服務(wù)領(lǐng)域的投資機(jī)會。

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名詞解釋

參考資料

• 硬科技復(fù)興聯(lián)盟《第三代半導(dǎo)體SiC行業(yè)研究報告》

• 知乎專欄《碳化硅SIC材料研究現(xiàn)狀與行業(yè)應(yīng)用》

• 電子發(fā)燒友網(wǎng)《碳化硅（SiC）功率器件發(fā)展現(xiàn)狀》

• 電子發(fā)燒友網(wǎng)《火熱的投資環(huán)境以及政策保障下，我國SIC產(chǎn)業(yè)已完成基本布局》

• 電子發(fā)燒友網(wǎng)《三種碳化硅的主要制備方法》

• 方正證券《第三代半導(dǎo)體之SiC研究框架》

• 方正證券《第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架》

• 天科合達(dá)招股說明書、山東天岳招股說明書、海外上市公司年報、老虎證券、方正證券、粵開策略、東興證券研報、知乎、wind等

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